[发明专利]PIN卡及使用PIN卡的试验装置

说明书

技术领域

本发明涉及PIN（personal identification number：个人识别号码）卡。

背景技术

为了试验半导体设备是否正常工作、或者确定其不良部位而利用半导体试验装置（以下，简称为试验装置）。一般，试验装置进行AC试验和DC试验。

在AC试验中，由模式发生器、定时发生器产生测试模式，再由驱动器（driver）将其提供给被试验设备（DUT）。接收到模式信号的DUT进行预定的信号处理并输出到试验装置。试验装置利用定时比较器判断来自DUT的信号电平，通过将判断结果与期待值进行比较，由此判断DUT的功能的优劣。

在DC试验中，由直流试验单元将直流电压（DC电压）或电流信号提供给DUT，测试以DUT的输入输出阻抗、漏电流为代表的DC特性。

驱动器、定时比较器以及进行DC试验的PMU设置在PIN卡（PIN electronics card）、数字模块或被称为接口卡（interface card）的线路板上，多数情况下能够与试验装置的主体分离。

图1是表示一般的PIN卡的结构。图1中仅示出与一个设备PIN对应的一个通道，实际上数百~数千通道并排设置。

PIN卡200的I/O端子Pio通过缆线以及未图示的设备卡盘与DUT1对应的设备引脚连接。PIN卡200除了驱动器DR、定时比较器TCP、直流试验单元PMU之外，还包括两个开关（relay：继电器）SW1、SW2。开关SW1、SW2用于切换AC试验和DC试验。

AC试验时开关SW1接通，开关SW2断开。此时驱动器DR和定时比较器TCP与DUT1连接，直流试验单元PMU与DUT1断开。

相反，DC试验时开关SW1断开，开关SW2接通。此时驱动器DR和定时比较器TCP与DUT1断开，直流试验单位PMU与DUT1连接。

发明内容

当测试模式的频率超过数Gbps时，开关SW1上传输超过数GHz的高频信号。此时，开关SW1需要使用可传输高频信号的化合物半导体开关或MEMS（Micro Electro Mechanical Systems：微机电系统）开关。

但是，化合物半导体开关的DC耐压为0.1V左右，非常低，在测试模式中包含直流成分的情况下不能利用。另外，MEMS开关虽满足高速性、DC耐压要求，但存在成本高的问题。具体地，MEMS开关的价格是其之外的开关的近100倍。如上述那样，批量生产用的试验装置由于具备数百~数千通道，因此使用MEMS开关时，对试验装置成本的影响变大。

本发明是鉴于这种状况而做出的，其实施方式例示的目的之一，在于提供一种利用便宜的开关的PIN卡。

本发明的一种技术方案是一种PIN卡，包括：输入输出端子、光半导体开关、第一阻抗电路、以及第二阻抗电路。输入输出端子与被试验设备连接；光半导体开关，其第一端子与进行被试验设备的交流试验的交流试验单元连接，其第二端子与输入输出端子以及进行被试验设备的直流试验的直流试验单元连接。光半导体开关根据输入到其正控制端子以及负控制端子的控制信号，可切换第一端子和第二端子之间的导通、切断状态。第一阻抗电路设置在对光半导体开关的正控制端子的控制信号的信号路径上。第二阻抗电路设置在对光半导体开关的负控制端子的控制信号的信号路径上。

本发明另外一种技术方案是，光半导体开关通过寄生电容与设置有控制端子的一次侧和设置有第一端子、第二端子的二次侧耦合。通过阻抗电路，提高从光半导体开关的正控制端子观察控制信号的发生源的阻抗以及从光半导体开关的负控制端子观察控制信号的发生源的阻抗，因此能降低寄生电容对二次侧的影响。根据该方案，能使用便宜的半导体开关来提供一种高频特性优异的PIN卡。

本发明另外一种技术方案是，在进行直流试验时，使光半导体开关为切断状态，并且将所述交流试验单元控制为静默状态。

本发明另外一种技术方案是，第一阻抗电路、第二阻抗电路中的至少一方包括串联或并联设置的铁氧体磁珠以及电阻元件。

根据该方案，主要能够通过铁氧体磁珠降低寄生电容的影响，并且能够通过电阻元件控制对光半导体开关的控制信号的电流量。即，能提高电路设计的自由度。

本发明另外一种技术方案是，铁氧体磁珠在1~10GHz中的阻抗是100Ω~1MΩ。

本发明另外一种技术方案是，第一阻抗电路、第二阻抗电路中的至少一方包括串联或并联设置的电感以及电阻。