[发明专利]高纯度铜焊接引线有效
| 申请号： | 201080065756.4 | 申请日： | 2010-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN102859672A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 山下勉;桑原岳;冈崎纯一 | 申请（专利权）人： | 田中电子工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;C22C9/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纯度 铜焊 接引 | ||
【权利要求书】：
1.一种球焊接用铜合金引线，所述铜合金引线包括：0.5至15质量ppm的磷，及其余部分的纯度99.9985质量％以上的铜，其特征在于：与不添加磷的纯度为99.9999质量％以上的铜金属引线相比，降低了该铜合金引线的初始焊球的室温硬度。
2.一种高纯度球焊接用铜合金引线，所述铜合金引线包括：由0.5至15质量ppm的磷，及其余部分为纯度99.9985质量％以上的铜，其特征在于：铜中的磷以外的金属元素的总量为磷含量以下，与不添加磷的纯度为99.9999质量％以上的铜金属引线相比，降低了该铜合金引线的初始焊球的室温硬度。
3.如权利要求2所述的高纯度球焊接用铜合金引线，其特征在于：铜中的磷以外的金属元素为Pt、Au、Ag、Pd、Ca、Fe、Mn、Mg、Ni、Al、Pb及Si中的任意一种或两种以上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于田中电子工业株式会社，未经田中电子工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080065756.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：二次电池的充电控制方法及控制装置
- 下一篇：显示装置、显示方法以及程序
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
