[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种具有至少一层或多层光电转换元件的太阳能电池，在所述层中由微晶硅膜构成的i型硅层设置在n型硅层和p型硅层之间，所述太阳能电池的特征在于，

所述光电转换元件使得置于基板侧的所述n型硅层或p型硅层由非晶硅膜构成，以及

由微晶硅膜构成的籽晶层设置在置于所述基板侧的所述n型硅层或p型硅层与所述i型硅层之间，其中与置于所述基板侧的所述n型硅层或p型硅层接触的部分的结晶率低于所述i型硅层的结晶率，并且所述结晶率朝着所述i型硅层侧、继续至所述i型硅层连续地或分两个或更多个阶段逐渐地增大。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述籽晶层由具有不同结晶率的两层或更多层微晶硅膜构成。

3.如权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，当所述i型硅层和籽晶层各自在同一基板上形成时，所述籽晶层在可形成结晶率高于所述i型硅层的微晶硅膜的膜形成条件下形成。

4.一种具有至少一层或多层光电转换元件的太阳能电池的制造方法，在所述层中由微晶硅构成的i型硅层设置在n型硅层和p型硅层之间，并且置于基板侧的所述n型硅层或p型硅层由非晶硅膜构成，所述方法的特征在于，

使用等离子体CVD法形成所述光电转换元件，由此将含硅烷气体和氢气的混合物引入腔室，以及

在置于所述基板侧的所述n型硅层或p型硅层与所述i型硅层之间形成由微晶硅膜构成的籽晶层，其中与置于所述基板侧的所述n型硅层或p型硅层接触的部分的结晶率低于所述i型硅层的结晶率，并且所述结晶率朝着所述i型硅层侧、继续至所述i型硅层连续地或分两个或更多个阶段逐渐地增大。

5.如权利要求4所述的太阳能电池制造方法，其特征在于，在所述混合物中的含硅烷气体的浓度低于形成所述i型硅层时的浓度的条件下，在所述腔室内的压力、所施加的功率、以及电极间的距离恒定的条件下开始所述籽晶层的形成，并且所述混合物中的含硅烷气体的浓度连续地或分两个或更多个阶段逐渐地增加，最终增加到形成所述i型硅层时的含硅烷气体的浓度。