[发明专利]含有导体-叠-导体芯壳粒子的电压可切换介电材料无效

专利信息
申请号: 201080063945.8 申请日: 2010-12-15
公开(公告)号: CN102870166A 公开(公告)日: 2013-01-09
发明(设计)人: L·科索斯基;R·弗莱明;J·吴;P·萨拉夫;T·阮冈纳赞 申请(专利权)人: 肖克科技有限公司
主分类号: H01B1/22 分类号: H01B1/22;H01C7/105;H01L21/60
代理公司: 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 代理人: 侯婧;钟守期
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 含有 导体 粒子 电压 切换 材料
【权利要求书】:

1.一种电压可切换介电(VSD)材料组合物,包含:

聚合物粘合剂;和

分散在粘合剂中的一种或多种粒子,所述一种或多种粒子包括一种浓度的芯壳粒子,所述芯壳粒子各包括(i)由第一种导电材料形成的芯,和(ii)一个或多个壳层,包括由不同于第一种导电材料的第二种导电材料形成的外层,所述第二种导电材料包括镍。

2.权利要求1的组合物,其中所述第一种导电材料包括铜。

3.权利要求1的组合物,其中所述分散在粘合剂中的一种或多种粒子的浓度等于或高于组合物逾渗水平。

4.权利要求1的组合物,其中所述各芯壳粒子的一个或多个壳层包括氧化镍层。

5.权利要求1的组合物,其中将至少一个芯或一个或多个壳层之一表面改性以包括聚合物。

6.权利要求1的组合物,其中将至少一个芯或一个或多个壳层之一表面改性以包括交联聚合物。

7.权利要求1的组合物,其中所述一种或多种粒子组分还包含为导体或半导体的非芯壳粒子。

8.权利要求1的组合物,其中所述一种或多种粒子组分还包含为纳米尺寸粒子的非芯壳粒子。

9.权利要求8的组合物,其中所述纳米尺寸粒子为高纵横比的有机或无机粒子。

10.权利要求1的组合物,其中所述纳米尺寸粒子包括碳纳米管。

11.权利要求1的组合物,其中所述一种或多种粒子组分还包括含硼非芯壳粒子。

12.权利要求1的组合物,其中所述一种或多种粒子组分还包括活性变阻粒子。

13.权利要求1的组合物,其中所述粘合剂由导电聚合物形成。

14.一种电压可切换介电(VSD)材料组合物,包含:

聚合物粘合剂;和

分散在粘合剂中的一种或多种粒子,所述一种或多种粒子包括一种浓度的芯壳粒子,所述芯壳粒子各包括(i)导电芯或半导电芯,和(ii)一个或多个壳层,包括由金属氧化物形成的外层。

15.权利要求14的组合物,其中所述一个或多个壳层包括一个或多个含镍层。

16.权利要求14的组合物,其中所述一个或多个壳层包括镍层和氧化镍层。

17.权利要求14的组合物,其中所述芯导电且由铜形成。

18.权利要求14的组合物,其中将至少一个芯或一个或多个壳层之一表面改性以包括聚合物。

19.权利要求14的组合物,其中至少一个芯或一个或多个壳层之一由金属氧化物形成。

20.权利要求14的组合物,其中所述芯半导电且由第一种金属氧化物形成,并且其中所述壳的一个或多个壳层由第二种金属氧化物形成。

21.权利要求20的组合物,其中所述芯由二氧化钛(TiO2)形成。

22.权利要求21的组合物,其中所述一个或多个壳层包括氧化锑锡(ATO)。

23.权利要求20的组合物,其中每个芯和至少一个壳层由选自氧化锌、氧化铋、氧化锡、氧化镍、氧化铟锡(ITO)、氧化锑锌(AZO)、二氧化钛(TiO2)和氧化锑锡(ATO)的金属氧化物形成:。

24.一种电压可切换介电(VSD)材料组合物,包含:

聚合物粘合剂;和

分散在粘合剂中的一种或多种粒子,所述一种或多种粒子包括一种浓度的芯壳粒子,所述芯壳粒子各包括(i)由导电材料形成的导体芯,和(ii)包括至少一个导电材料层的多层壳。

25.权利要求24的组合物,其中所述多层壳包括至少一个导电材料层作为最外层。

26.权利要求24的组合物,其中所述多层壳包括至少一个包含镍的材料层。

27.权利要求26的组合物,其中所述导体芯由含铜材料形成。

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