[发明专利]半导体聚合物

权利要求书

1.包含一种或多种式I的相同或不同重复单元的共轭聚合物

其中

X¹和X²中的一个选自S、Se和O，以及另一个选自CH、CR^x和N，

X³和X⁴中的一个选自S、Se和O，以及另一个选自CH、CR^x和N，

R每次出现时相同或不同地表示具有1到35个C原子的直链、支化或环状烷基，其中一个或多个不相邻的C原子任选被-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-CR⁰＝CR⁰⁰-或-C≡C-代替并且其中一个或多个H原子任选被F、Cl、Br、I或CN代替，或者表示具有2到40个C原子的未取代的或被一个或多个非芳族基团R¹取代的芳基、杂芳基、芳氧基、杂芳基氧基、芳基羰基、杂芳基羰基、芳基羰基氧基、杂芳基羰基氧基、芳基氧基羰基或杂芳基氧基羰基，

R^x每次出现时相同或不同地为具有1到15个C原子的直链、支化或环状烷基，其中一个或多个不相邻的C原子任选被-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-O-、-CR⁰＝CR⁰⁰-或-C≡C-代替以及其中一个或多个H原子任选被F、Cl、Br、I或CN代替，

R⁰和R⁰⁰彼此独立地是H或任选取代的碳基或烃基，其任选包含一个或多个杂原子，

R¹每次出现时相同或不同地是如下基团：H、卤素、-CN、-NC、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(＝O)NR⁰R⁰⁰、-C(＝O)X⁰、-C(＝O)R⁰、-NH₂、-NR⁰R⁰⁰、-SH、-SR⁰、-SO₃H、-SO₂R⁰、-OH、-NO₂、-CF₃、-SF₅，任选取代的甲硅烷基，任选取代且任选包含一个或多个杂原子的具有1到40个C原子的碳基或烃基，或者P-Sp-，

P是可聚合的基团，

Sp是间隔基团或单键，

X⁰是卤素。

2.根据权利要求1的聚合物，选自式II

其中

A每次出现时相同或不同地为如权利要求1中定义的式I的重复单元，

Ar每次出现时相同或不同地为任选取代的芳基或杂芳基，

Y¹和Y²彼此独立地是H、F、Cl或CN，

m每次出现时相同或不同地为1、2或3，

x每次出现时相同或不同地为0或1，其中在至少一个子单元((Ar)_y-(A)_x)中x是1，

y每次出现时相同或不同地为0或1，

n是＞1的整数。

3.根据权利要求2的聚合物，其选自式IIa

其中A、Ar、m、n、x和y具有权利要求1和2的含义，苯环任选以一个或多个如权利要求1中定义的基团R¹取代，以及

R²和R³彼此独立地具有权利要求1中的R¹的含义之一，或者表示H、-CH₂Cl、-CHO、-CH＝CH₂、-SiR′R″R″′、-SnR′R″R″′、-BR′R″、-B(OR′)(OR″)、-B(OH)₂或P-Sp，其中P和Sp如上定义以及R′、R″和R″′彼此独立地具有权利要求1中的R⁰的含义之一，以及R′和R″还可以与它们所连接到的杂原子一起形成环。