[发明专利]衬底处理方法

权利要求书

1.一种衬底处理方法，包括步骤：

在第一腔中通过气相沉积过程在衬底上形成包括III族元素和V族元素的有源层；

将所述衬底从所述第一腔传输到缓冲腔，然后将所述衬底传输到不同于所述第一腔的第二腔；以及

在所述第二腔中通过气相沉积过程在所述衬底上形成包括III族元素和V族元素的p型层。

2.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述III族元素包括铝（Al）、镓（Ga）和铟（In）中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述有源层包括GaN、InGaN、AlGaN和InAlGaN中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述p型层包括p型GaN层和p型AlGaN中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中：

所述p型层包括p型GaN层和p型AlGaN层，并且

所述p型GaN层和所述p型AlGaN层在不同腔中通过气相沉积过程形成在所述衬底上。

6.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，当将所述衬底传输到所述第二腔中时，所述第二腔中的温度为约1000至1200℃。

7.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述缓冲腔中的温度为约600至900℃。

8.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述缓冲腔中的气体气氛为氢气气氛。

9.根据权利要求1所述的衬底处理方法，进一步包括步骤：

将所述衬底从所述第二腔传输到所述缓冲腔，然后将所述衬底传输到不同于所述第一腔和所述第二腔的第三腔；以及

在所述第三腔中对所述衬底进行退火。

10.根据权利要求1所述的衬底处理方法，进一步包括步骤：

将所述衬底从所述第二腔传输到所述缓冲腔，然后将所述衬底传输到不同于所述第一腔和所述第二腔的第三腔；以及

在所述第三腔中在100至300℃冷却所述衬底。

11.根据权利要求9或10所述的衬底处理方法，其中，所述第三腔中的气体气氛为氮气气氛。

12.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中：

在形成所述有源层的步骤之前，

执行在不同于所述第一腔和所述第二腔的第三腔中通过气相沉积过程在所述衬底上形成包括III族元素和V族元素的n型层的步骤；以及执行将所述衬底从所述第三腔传输到所述缓冲腔，然后将所述衬底传输到所述第一腔的步骤，并且

在形成所述p型层的步骤之后，

执行将所述衬底从所述第二腔传输到所述缓冲腔，然后将所述衬底传输到不同于所述第一腔、所述第二腔和所述第三腔的第四腔的步骤；以及执行在所述第四腔中冷却所述衬底的步骤。

13.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中：

在形成所述有源层的步骤之前，

执行在不同于所述第一腔和所述第二腔的第三腔中对所述衬底进行热处理的步骤；执行将所述衬底从所述第三腔传输到所述缓冲腔，然后将所述衬底传输到所述第一腔的步骤；执行在所述第一腔中通过气相沉积过程在所述衬底上形成包括III族元素和V族元素的缓冲层的步骤；执行在所述第一腔中通过气相沉积过程在所述衬底上形成包括III族元素和V族元素的未掺杂层的步骤；以及执行在所述第一腔中通过气相沉积过程在所述衬底上形成包括III族元素和V族元素的n型层的步骤，并且

在形成所述p型层的步骤之后，

执行将所述衬底从所述第二腔传输到所述缓冲腔，然后将所述衬底传输到所述第三腔的步骤；以及执行在所述第三腔中冷却所述衬底的步骤。