[发明专利]表面处理和涂层

权利要求书

1.一种处理待与粘结剂结合的电子或光电子元件的表面的方法，所述 表面至少含有陶瓷，所述方法包括施覆造成所述表面的表面能减少的涂层， 进一步包括通过暴露所述表面于选自烷酸、烷基卤代硅烷、烷基膦酸、烷基 膦酸酯、芳基卤代硅烷、芳基膦酸、芳基膦酸酯、烯基卤代硅烷、烯基膦酸 和烯基膦酸酯中的任意的溶液来施覆所述涂层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述涂层包括自组装单分子膜。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括通过暴露所述表面于选自烷酸、 烷基卤代硅烷、烷基膦酸、烷基膦酸酯、芳基卤代硅烷、芳基膦酸、芳基膦 酸酯、烯基卤代硅烷、烯基膦酸和烯基膦酸酯中的任意的溶液来施覆所述涂 层，其中，所述溶液含有具有直链碳链分子。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括通过暴露所述表面于选自烷酸、 烷基卤代硅烷、烷基膦酸、烷基膦酸酯、芳基卤代硅烷、芳基膦酸、芳基膦 酸酯、烯基卤代硅烷、烯基膦酸和烯基膦酸酯中的任意的溶液来施覆所述涂 层，所述溶液含有具有支链碳链分子。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括通过暴露所述表面于选自烷酸、 烷基卤代硅烷、烷基膦酸、烷基膦酸酯中的任意的溶液来施覆所述涂层，其 中，所述烷酸、烷基卤代硅烷、烷基膦酸或烷基膦酸酯中的任意一种的烷基 基团具有分子式

6.根据权利要求1所述的方法，还包括通过暴露所述表面于烷酸溶液 来施覆所述涂层，所述烷酸包括分子式为C_nF_(2n+1)COOH的氟代烷酸。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括通过暴露所述表面于烷酸溶液 来施覆所述涂层，其中，所述烷酸的链长度为8-21个碳原子。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，施覆所述涂层以便减少所述表 面的表面能至少50mN/m。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述表面还包括至少一个金属 区域，所述方法包括在为了应用自组装单分子膜而暴露所述表面于溶液之 前，暴露所述表面于含有烷基硫醇的溶液。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述表面还包括至少一个金属 的区域，所述方法包括在为了应用自组装单分子膜而暴露所述表面于溶液之 前，暴露所述表面于含有具有支链的烷基硫醇溶液。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述表面还包括至少一个金属 的区域，所述方法包括在为了应用自组装单分子膜而暴露所述表面于溶液之 前，暴露所述表面于含有具有分子式C_nH_(2n+1)SH的烷基硫醇的溶液。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述表面还包括至少一个金属 的区域，所述方法包括在为了应用自组装单分子膜而暴露所述表面于溶液之 前，暴露所述表面于含有具有5-21个碳原子的链长度的烷基硫醇的溶液。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述表面还包括至少一个金属 的区域，所述方法包括在为了应用自组装单分子膜而暴露所述表面于溶液之 前，暴露所述表面于含有具有5-12个碳原子的链长度的烷基硫醇的溶液。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述表面还包括至少一个金属 的区域，所述方法包括在为了应用自组装单分子膜而暴露所述表面于溶液之 前，暴露所述表面于含有烷基硫醇的溶液，并且其中所述金属的所述表面和 所述陶瓷的所述表面具有相等的表面能。

15.一种用于电子或光电子元件的包括陶瓷表面的基体，所述基体包括 降低所述基体表面能的表面涂层，所述涂层选自烷酸、烷基卤代硅烷、烷基 膦酸、烷基膦酸酯、芳基卤代硅烷、芳基膦酸、芳基膦酸酯、烯基卤代硅烷、 烯基膦酸和烯基膦酸酯；

其中，所述基体还包括至少一个金属表面区域，所述基体的表面还包括 使用烷基硫醇在所述金属表面上已经施覆的涂层。