[发明专利]非导体基材镀敷的改良方法无效
| 申请号: | 201080062268.8 | 申请日: | 2010-11-10 |
| 公开(公告)号: | CN102714163A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
| 发明(设计)人: | 罗伯特·汉密尔顿;欧内斯特·朗;安德鲁·M·克罗尔 | 申请(专利权)人: | 麦克德米德尖端有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/4763 | 分类号: | H01L21/4763;H01L21/44;H01L23/04 |
| 代理公司: | 北京三幸商标专利事务所 11216 | 代理人: | 刘激扬 |
| 地址: | 康涅*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 非导体 基材 改良 方法 | ||
1.一种处理能够被激光活化的非导体基材的方法,该方法包括下列步骤:
a)用含水组合物处理该非导体基材,该含水组合物包含:
i)硫醇官能有机化合物;和
ii)优选地,表面活性剂;
b)有选择地激光活化该非导体基材的部分表面;
c)将基材与无电镀浴接触,使得与激光接触的基材区域被镀敷,而未与激光接触的区域则不被镀敷。
2.如权利要求1所述的方法,其中硫醇官能有机化合物是从由十二烷硫醇、月桂基硫醇、鲸蜡基硫醇和硬脂基硫醇、巯基乙酸烷基酯、巯基乙酸硬脂基酯、巯基乙酸鲸蜡基酯、甲基硫醇、正丁基硫醇、环己基硫醇、正十二烷基硫醇、正丙基硫醇、正辛基硫醇和叔壬基硫醇以及一或多种前述硫醇的组合所构成的群组中选出的。
3.如权利要求2所述的方法,其中硫醇官能有机化合物包含硬脂基硫醇。
4.如权利要求1所述的方法,其中硫醇官能有机化合物在含水组合物中的浓度在约1至约20克/升之间。
5.如权利要求1所述的方法,其中表面活性剂包含乙氧基化醇表面活性剂。
6.如权利要求5所述的方法,其中乙氧基化醇表面活性剂在含水组合物中的浓度在约0.1至约10克/升之间。
7.如权利要求1所述的方法,其中含水组合物还包含黄原胶。
8.如权利要求1所述的方法,其中含水组合物包含表面活性剂。
9.如权利要求1所述的方法,其中无电镀浴包含无电镀铜浴。
10.如权利要求1所述的方法,其中非导体基材是从由热塑性树脂和热固性树脂所构成的群组中选出的。
11.如权利要求10所述的方法,其中非导体基材为热塑性树脂,该热塑性树脂是从由聚碳酸酯/丙烯腈-丁二烯-苯乙烯混合树脂、交联聚对苯二甲酸丁二醇酯、尼龙和液晶聚合物所构成的群组中选出的。
12.如权利要求11所述的方法,其中非导体基材为聚碳酸酯/丙烯腈-丁二烯-苯乙烯混合树脂。
13.如权利要求1所述的方法,其中非导体基材浸渍有铜化合物。
14.如权利要求7所述的方法,其中含水组合物包含表面活性剂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





