[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201080062030.5 | 申请日： | 2010-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102742014A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;乡户宏充;须泽英臣;笹川慎也;仓田求;三上真弓 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/28;H01L29/417 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶晓勇;王忠忠 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1. 一种半导体装置，包括：
氧化物半导体层；
与所述氧化物半导体层接触的源电极，所述源电极包括：
第一导电层；以及
第二导电层；
与所述氧化物半导体层接触的漏电极，所述漏电极包括：
第三导电层；以及
第四导电层；
与所述氧化物半导体层重叠的栅电极；以及
设置在所述氧化物半导体层和所述栅电极之间的栅极绝缘层，
其中，所述第二导电层延伸超过所述第一导电层的端部，
所述第四导电层延伸超过所述第三导电层的端部，
并且，所述第一导电层的端部与所述第三导电层的端部彼此相对。
2. 根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一导电层、所述第二导电层、所述第三导电层以及所述第四导电层各具有锥形形状。
3. 根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
所述第二导电层上的与所述第一导电层的端部接触的第一侧壁绝缘层；以及
所述第四导电层上的与所述第三导电层的端部接触的第二侧壁绝缘层。
4. 根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二导电层的材料和所述第四导电层的材料是金属氮化物。
5. 根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二导电层的厚度和所述第四导电层的厚度为5nm至15nm。
6. 根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
设置在所述氧化物半导体层和所述源电极之间的第一绝缘层；以及
设置在所述氧化物半导体层和所述漏电极之间的第二绝缘层，
其中，所述源电极及所述漏电极在所述源电极及所述漏电极的端部与所述氧化物半导体层接触。
7. 一种半导体装置，包括：
氧化物半导体层；
源电极，包括：
第一导电层；以及
与所述氧化物半导体层接触的第二导电层；
漏电极，包括：
第三导电层；以及
与所述氧化物半导体层接触的第四导电层；
与所述氧化物半导体层重叠的栅电极；以及
设置在所述氧化物半导体层和所述栅电极之间的栅极绝缘层，
其中，所述第二导电层在所述第一导电层上，且所述第二导电层具有比所述第一导电层高的电阻，
并且，所述第四导电层在所述第三导电层上，且所述第四导电层具有比所述第三导电层高的电阻。
8. 根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述第一导电层和所述第三导电层与所述氧化物半导体层接触。
9. 根据权利要求7所述的半导体装置，
其中，所述第二导电层延伸超过所述第一导电层的端部，
所述第四导电层延伸超过所述第三导电层的端部，
并且，所述第一导电层的端部与所述第三导电层的端部彼此相对。
10. 根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述第一导电层、所述第二导电层、所述第三导电层以及所述第四导电层各具有锥形形状。
11. 根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述第二导电层的材料和所述第四导电层的材料是金属氮化物。
12. 根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述第二导电层的厚度和所述第四导电层的厚度为5nm至15nm。
13. 根据权利要求7所述的半导体装置，还包括：
设置在所述氧化物半导体层和所述源电极之间的第一绝缘层；以及
设置在所述氧化物半导体层和所述漏电极之间的第二绝缘层，
其中，所述源电极及所述漏电极在所述源电极及所述漏电极的端部与所述氧化物半导体层接触。
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