[发明专利]制造光伏电池的方法、由该方法制造的光伏电池及其应用

权利要求书

1.一种生产光伏电池的方法，所述方法包括：

a）用n-掺杂物掺杂半导电衬底的第一表面，以使得在所述衬底中形成第一n⁺层；

b）用p-掺杂物掺杂所述衬底的第二表面，以使得在所述衬底中形成p⁺层；

c）向所述第二表面施加抗反射涂层，所述抗反射涂层包括选自由氮化硅和氮氧化硅组成的组中的物质；

d）从所述衬底的所述第一表面去除部分的所述第一n⁺层，使得留在所述衬底的所述第一表面中的所述n-掺杂物的浓度在整个所述第一个表面是可变的；

e）用n-掺杂物掺杂所述衬底的所述第一表面，以形成第二n⁺层，使得在所述第二n⁺层中的所述n-掺杂物的浓度在整个所述第一表面是可变的；以及

f）在所述第一表面和所述第二表面的上均形成电接触，由此产生所述光伏电池，

其中，所述向所述第二表面施加所述抗反射涂层是在从所述第一表面去除所述部分的所述第一n⁺层之前或之后，并且在所述用所述n-掺杂物掺杂所述衬底的所述第一表面以形成所述第二n⁺层之前进行。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一n⁺层的特征在于小于30欧姆的薄层电阻。

3.根据权利要求1和2中任一项所述的方法，其中，所述第一n⁺层具有在0.4-2μm范围内的深度。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述第二n⁺层的特征在于在30-100欧姆范围内的薄层电阻。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述第二n⁺层具有范围在0.2-0.7μm之间的深度。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述从所述第一表面去除所述部分的所述第一n⁺层包括纹理化所述第一表面。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述纹理化在所述第一表面中产生峰和谷，其中在纹理化之后留在所述第一表面中的所述n-掺杂物的浓度在所述峰中的浓度高于在所述谷中的浓度。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述第二n⁺层中的所述n-掺杂物在所述峰中的浓度高于在所述谷中的浓度。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中，从所述第一表面去除所述部分的所述n⁺层包括将所述第一表面蚀刻至4μm至12μm范围内的平均深度。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中，所述第一n⁺层和所述p⁺层同时形成。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述用所述n-掺杂物掺杂以形成所述第一n⁺层而所述用所述p-掺杂物掺杂以形成所述p⁺层通过以下实现：

（i）将包含所述p-掺杂物的膜施加于所述第二表面；

（ii）将包含所述n-掺杂物的膜施加于所述第一表面；以及

（iii）加热所述衬底，

由此同时形成所述第一n⁺层和所述p⁺层。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其中，在所述掺杂之前所述衬底是n-型半导体。

13.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其中，在所述掺杂之前所述衬底是p-型半导体。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的方法，其中，所述抗反射涂层的特征在于折射率在2.1至2.2的范围内。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的方法，其中，所述抗反射涂层的特征在于从与所述衬底的界面方向下降的梯度折射率。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述梯度折射率是在从1.7至2.25的范围内。

17.根据权利要求1至16中任一项所述的方法，进一步包括使所述抗反射涂层经受热处理。