[发明专利]包括光抽取结构的III-V发光器件

权利要求书

1.一种器件，包括：

衬底，包括：

       主体，和

       晶种层，其粘结到所述主体上；以及

生长于所述晶种层上的半导体结构，所述半导体结构包括置于n型区与p型区之间的发光层；

其中在垂直于所述半导体结构的生长方向的方向上的折射率变化设置在所述主体与所述发光层之间。

2.根据权利要求1所述的器件，其还包括：置于所述晶种层与所述半导体结构之间的非半导体层，其中

所述非半导体层被图案化以形成多个开口；以及

生长所述半导体结构，使得半导体材料填充所述非半导体层中的开口。

3.根据权利要求1所述的器件，其还包括：

置于所述晶种层与所述半导体结构之间的非半导体层，其中所述非半导体层被图案化以形成多个开口；以及

在设置在所述开口之间的所述非半导体层的区域上的所述半导体结构中设置的孔隙。

4.根据权利要求1所述的器件，其中:

所述折射率变化包括由间隙分开的粘结层的部分；以及

所述折射率变化设于所述主体与所述晶种层之间。

5.根据权利要求4所述的器件，其中，所述间隙被气体填充且与所述晶种层直接接触。

6.根据权利要求4所述的器件，其中，所述间隙被气体填充且与所述主体直接接触。

7.根据权利要求4所述的器件，其中，所述间隙被气体填充且与所述晶种层和所述主体间隔开。

8.根据权利要求1所述的器件，其中，所述折射率变化包括形成于与所述半导体结构相对的晶种层表面中且被折射率小于2的材料填充的多个开口。

9.根据权利要求1所述的器件，其中，所述折射率变化包括设于所述半导体结构与所述晶种层之间的界面的多个孔隙。

10.根据权利要求1所述的器件，其中:

所述折射率变化包括由具有第二折射率的第二材料的多个区分开的具有第一折射率的第一材料的多个区；以及

第一材料区中的每一个和第二材料区中的每一个在折射率变化的方向上具有在100nm与10微米之间的横向范围。

11.根据权利要求1所述的器件，其中，所述折射率变化具有在100nm与10微米之间的高度。

12.一种方法，包括：

提供衬底，包括：

       主体，和

       晶种层，其粘结到所述主体上；以及

在所述衬底上生长半导体结构，所述半导体结构包括置于n型区与p型区之间的发光层；

其中在垂直于所述半导体结构的生长方向的方向上的折射率变化设置在所述主体与所述发光层之间。

13.根据权利要求12所述的方法，其还包括：在生长所述半导体结构之后除去所述主体。

14.根据权利要求12所述的方法，其还包括：通过以下来形成所述折射率变化：

在所述晶种层上形成非半导体层；

将所述非半导体层图案化以形成多个开口；以及

生长所述半导体结构使得半导体材料填充所述非半导体层中的开口。

15.根据权利要求12所述的方法，其还包括：通过以下来形成所述折射率变化：

在所述晶种层上形成非半导体层；

将所述非半导体层图案化以形成多个开口；以及

生长所述半导体结构，使得半导体材料填充所述非半导体层中的所述开口且在置于所述开口之间的所述非半导体层的区域上形成孔隙。