[发明专利]具有弹性聚硅氧烷保护层的耐湿光伏器件

权利要求书

1.一种光伏器件，所述光伏器件具有光入射表面和后表面，所述器件还包括：

a)含有硫属化物的光伏层，所述含有硫属化物的光伏层包含铜、铟和/或镓中的至少一种；

b)透明导电层，所述透明导电层插入在所述光伏层与所述光入射表面之间，其中所述透明导电层电连接至所述光伏层；

c)电子收集栅极，所述电子收集栅极电连接至所述透明导电层并且覆盖所述透明导电层的至少一部分；

d)具有光入射表面的弹性结构体，所述结构体以使得所述弹性结构体的所述光入射表面与所述导体的主要部分隔开的方式覆盖所述电子收集栅极和所述透明导电层的至少一部分，并且其中所述弹性结构体包含具有至少0.1g/m²-天的WVTR的弹性硅氧烷聚合物，以及

e)任选的保护性阻挡层，所述保护性阻挡层覆盖所述弹性结构体。

2.权利要求1所述的器件，其中所述弹性结构体具有在约0.5g/m²-天至约500g/m²-天的范围内的WVTR。

3.任一在前权利要求所述的器件，其中所述弹性结构体具有在约0.5g/m²-天至约150g/m²-天的范围内的WVTR。

4.任一在前权利要求所述的器件，其中所述弹性结构体包含硅氧烷聚合物，所述硅氧烷聚合物由包含一种以上硅氧烷前体的成分原位形成。

5.任一在前权利要求所述的器件，其中所述弹性结构体包含硅氧烷聚合物，所述硅氧烷聚合物由包含具有Si-烯基官能团的第一硅氧烷前体和具有氢化硅官能团的第二前体的成分原位形成。

6.任一在前权利要求所述的器件，其中所述弹性结构体包含硅氧烷聚合物，所述硅氧烷聚合物由烷氧基官能硅氧烷前体原位形成。

7.权利要求6所述的器件，其中所述硅氧烷聚合物使用室温硫化技术由至少所述烷氧基官能硅氧烷前体原位形成。

8.根据任一在前权利要求所述的器件，其中所述电子收集栅极包含Ag、Ni、Cu或Al或它们的组合。

9.根据任一在前权利要求所述的器件，其中所述弹性结构体的所述光入射表面与所述电导体隔开约0.5密耳至约50密耳范围内的深度。

10.任一在前权利要求所述的器件，其中所述器件包括所述保护性阻挡层，并且其中所述保护性阻挡层包含无机电介质组合物。

11.任一在前权利要求所述的器件，其中所述器件包括所述保护性阻挡层，并且其中所述保护性阻挡层包含硅和铝中的至少一种的氧化物、氮化物、碳化物或它们的组合。

12.任一在前权利要求所述的器件，其中所述器件包括所述保护性阻挡层，并且其中所述保护性阻挡层具有多层结构，所述多层结构包括负载在基板上的至少一个二合体，其中，每个二合体独立地包含无机组合物层和有机组合物层。

13.权利要求12所述的器件，其中所述无机组合物包含无机电介质组合物。

14.权利要求13所述的器件，其中所述无机电介质组合物选自硅、钛和/或铝的氧化物、碳化物和/或氮化物。

15.权利要求12所述的器件，其中所述保护性阻挡层包含多个所述二合体。

16.权利要求12所述的器件，其中所述二合体基板包含聚合物膜。

17.权利要求16所述的器件，其中所述聚合物膜包含聚酯。