[发明专利]用于高效锥体三维太阳能电池的结构和方法

权利要求书

1.一种加工特性增强的锥体三维薄膜太阳能电池（3-D TFSC），其包括：

包括多个锥体单元电池的P型外延3-D TFSC衬底，其中所述单元电池包括：

具有包括<111>面的不同晶面的锥形侧壁，所述锥形侧壁形成开放的锥体状结构；

具有晶体<100>面的基本平坦的顶脊，所述顶脊与所述锥形侧壁关联；以及

所述锥形侧壁具有背侧表面；以及

所述3-D TFSC衬底还包括背P+掺杂层；

在所述锥形侧壁和所述顶脊中形成的单磷扩散发射层；

在所述发射层上形成的氧化物钝化层，所述氧化物钝化层在所述锥形侧壁上形成；

在所述背表面形成的全体的金属接触层；以及

在所述发射层形成的前金属接触，所述前金属接触在所述顶脊上形成。

2.根据权利要求1所述的3-D TFSC，其中所述P+掺杂层还包括原位掺杂的P+层。

3.根据权利要求1所述的3-D TFSC衬底，其中所述p型外延衬底掺杂不同。

4.根据权利要求1所述的3-D TFSC衬底，其中所述p型外延衬底掺杂是恒定的。

5.根据权利要求1所述的3-D TFSC，还包括硅衬底。

6.根据权利要求1所述的3D TFSC衬底，其中n+掺杂物层构成原位发射极。

7.一种加工性质增强的锥体三维薄膜太阳能电池（3-D TFSC），其包括：

包括多个锥体单元电池的P型外延3-D TFSC衬底，其中所述单元电池包括：

具有包括晶体<111>面的锥形侧壁，所述锥形侧壁形成开放的锥体状结构；

具有晶体<100>面的基本平坦的顶脊，所述顶脊与所述锥形侧壁关联；以及

所述锥形侧壁具有背表面；以及

所述3-D TFSC衬底还包括背P+掺杂层；

在所述锥形侧壁中形成的磷扩散发射层；

在所述顶脊中形成的磷扩散选择性发射层；

在所述发射层上形成的氧化物钝化层，所述氧化物钝化层在所述锥形侧壁上形成；

在所述背侧表面上形成的全体的金属接触层；以及

在所述发射层上形成的前金属接触，所述前金属接触在所述顶脊上形成。

8.根据权利要求7所述的3-D TFSC衬底，其中所述选择性发射层掺杂得不如所述发射层重。

9.根据权利要求7所述的3-D TFSC衬底，其中所述P+掺杂层是原位掺杂的。

10.根据权利要求7所述的3-D TFSC衬底，其中所述p型外延衬底掺杂不同。

11.根据权利要求7所述的3-D TFSC衬底，其中所述p型外延衬底掺杂是恒定的。

12.根据权利要求7所述的3-D TFSC衬底，还包括硅衬底。

13.根据权利要求7所述的3-D TFSC衬底，还包括在所述氧化物钝化层上形成的SiN ARC层。

14.一种加工特性增强的锥体三维薄膜太阳能电池（3-D TFSC），其包括：

包括多个锥体单元电池的P型外延3-D TFSC衬底，其中所述单元电池包括：

具有包括晶体<111>面的锥形侧壁，所述锥形侧壁形成开放的锥体状结构；

具有晶体<100>面的基本平坦的顶脊，所述顶脊与所述锥形侧壁关联；以及

所述锥形侧壁具有背侧表面；以及

所述3-D TFSC衬底还包括背P+掺杂层；

在所述锥形侧壁和所述顶脊中形成的磷扩散发射层；

在所述发射层上形成的氧化物钝化层，所述氧化物钝化层在所述锥形侧壁上形成；

至少部分在所述背侧表面上形成的完整钝化层；

在所述背表面上形成于所述完整钝化层上的选择性金属接触层，所述选择性金属接触至少部分接触所述p型外延3-D TFSC；以及

在所述发射层上形成的前金属接触，所述前金属接触在所述顶脊上形成。

15.根据权利要求14所述的3-D TFSC衬底，其中所述发射层还包括在所述顶脊中形成的选择性发射层。