[发明专利]聚合物及制备和使用聚合物的方法无效
申请号: | 201080060106.0 | 申请日: | 2010-12-30 |
公开(公告)号: | CN102686391A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | J·比林;J·埃里克森;O·卡尔松;刘沿;C·S·施塔克;E·依马兹 | 申请(专利权)人: | 嘉吉公司 |
主分类号: | B32B3/26 | 分类号: | B32B3/26 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 彭丽丹;过晓东 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 聚合物 制备 使用 方法 | ||
相关申请的交叉引用
本申请要求名称为“A POLYMER AND METHODS OF PREPARINGAND USING A POLYMER”,于2009年12月30日提交的美国临时专利申请61/209,926的优先权,在此将其全部内容援引加入本文。
技术领域
本发明一般而言涉及聚合物及制备和使用聚合物的方法。本公开还一般而言涉及制备莫那甜的方法和系统。具体地,本公开涉及聚合物以及制备和使用聚合物的方法以从含莫那甜的混合物中回收莫那甜。
背景技术
莫那甜(2-羟基-2-(吲哚-3-基甲基)-4-氨基戊二酸)是天然存在的高强度或高效增甜剂,其最初从发现于南非的德兰士瓦地区的植物似冬青叶硬木朔(Sclerochiton ilicifolius)中分离。莫那甜具有以下化学结构:
由于不同的命名规则,莫那甜也具有多个可替换的化学名称,包括:2-羟基-2-(吲哚-3-基甲基)-4-氨基戊二酸;4-氨基-2-羟基-2-(1H-吲哚-3-基甲基)-戊二酸;4-羟基-4-(3-吲哚基甲基)谷氨酸;和3-(1-氨基-1,3-二羧基-3-羟基-丁-4-基)吲哚。
莫那甜具有两个手性中心,由此产生四种可能的立体异构构型;R,R构型(“R,R立体异构体”或“R,R莫那甜”);S,S构型(“S,S立体异构体”或“S,S莫那甜”);R,S构型(“R,S立体异构体”或“R,S莫那甜”);和S,R构型(“S,R立体异构体”或“S,R莫那甜”)。
参考WO 2003/091396A2,其尤其公开了用于体内和体外产生莫那甜的多肽、途径和微生物。WO 2003/091396A2(参见如图1-3和11-13)和美国专利公开2005/282260描述了通过包括用多肽(蛋白质)或酶的生物转化的多步骤途径从色氨酸产生莫那甜。所述的一种途径包括在生物学上如用酶将色氨酸转化为吲哚-3-丙酮酸(“I3P”)(反应(1)),将吲哚-3-丙酮酸转化为2-羟基2-(吲哚-3-基甲基)-4-酮戊二酸(莫那甜前体,“MP”)(反应(2)),以及将MP转化为莫那甜(反应(3))。可例如使用酶在生物学上进行这三个反应。
发明内容
一个实施方案涉及在溶剂体系存在下制备聚合物的方法,其中选择所述溶剂体系以使它具有约15.9-18.3MPa1/2的色散溶解度参数、约4.0-6.2MPa1/2的极性溶解参数和约5.5-12.7MPa1/2的氢键溶解度参数。在另一方面,选择所述溶剂体系以使所述聚合物和所述溶剂体系的在聚合物和溶剂体系之间的Skaarup距离(Ra)为约7.7MPa1/2-10.9MPa1/2。又一方面是通过所述方法制备的聚合物。
另一个实施方案涉及在溶剂体系存在下制备聚合物的方法,选择所述溶剂体系以使所述聚合物的平均孔径为约另一方面是通过所述方法制备的聚合物。
又一个实施方案涉及适于从混合物中回收莫那甜的聚合物,其中所述聚合物的平均孔径为约
再一个实施方案涉及从混合物中回收莫那甜的方法,其中所述方法包括使用在溶剂体系存在下制得的聚合物的步骤,选择所述溶剂体系以使它具有约15.9-18.3MPa1/2的色散溶解度参数、约4.0-6.2MPa1/2的极性溶解参数和约5.5-12.7MPa1/2的氢键溶解度参数。在另一方面,选择所述溶剂体系以使所述聚合物和所述溶剂体系的在聚合物和溶剂体系之间的Skaarup距离(Ra)为约7.7MPa1/2-10.9MPa1/2。以下说明中给出本发明的一个或多个非限制性实施方案的细节。在考虑本发明的公开之后,本发明的其它实施方案对于本领域技术人员而言是明显的。
附图说明
图1是从包含莫那甜、原料和中间体的混合物分离和提纯莫那甜的示例系统的方框图。
图2是使用软件包SIMCA(Umetrics AB)制作的载荷图,其显示了对于各种聚合物的初始变量和主成分之间的关系,其中横坐标表示通常与洗脱体积有关的变量,而纵坐标表示通常与分离度(resolution)有关的变量,并且其中:
N=亚硝酸钠的塔板数
平均孔径假设圆柱形孔的平均孔径
脱附峰值孔径在dV/d(log d)脱附图中的主要孔径
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于嘉吉公司,未经嘉吉公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080060106.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类