[发明专利]应力减小的SOS基板

权利要求书

1.一种蓝宝石上硅(SOS)基板，包括蓝宝石基板和在所述蓝宝石基板上或上方的单晶硅膜，其中在所述SOS基板的整个平面区域上，通过拉曼位移方法测得的硅膜的应力具有2.5×10⁸Pa或更小的绝对值。

2.根据权利要求1所述的SOS基板，其中所述SOS基板通过包括以下顺序的步骤的方法获得：

在单晶硅基板或者其上具有氧化物膜的单晶硅基板中注入离子，以在其中形成离子注入层；

在蓝宝石基板的表面上和/或所述离子注入单晶硅基板或所述其上具有氧化物膜的离子注入单晶硅基板的表面上进行表面活化处理；

在50℃或更高但不高于350℃将所述单晶硅基板或所述其上具有氧化物膜的单晶硅基板与所述蓝宝石基板相互贴合，然后在150℃或更高但不高于350℃进行热处理，以获得接合体；

使所述接合体的离子注入层的界面脆化；以及

对所述离子注入层的界面施加机械冲击，以使所述接合体沿着所述界面剥离，从而将所述单晶硅膜转移到所述蓝宝石基板以形成SOS层。

3.根据权利要求2所述的SOS基板，其中使所述离子注入层的界面脆化的步骤和/或对所述离子注入层的界面施加机械冲击的步骤包括，在比所述贴合步骤中的温度高或低50℃的温度范围内，在50℃或更高但不高于350℃的温度加热所述接合体。

4.根据权利要求1所述的SOS基板，其中所述SOS基板的硅膜的拉曼位移和单晶硅晶片的拉曼位移(520.50cm^-1)之间的差具有1.0cm^-1或更小的绝对值。

5.根据权利要求1所述的SOS基板，其中在晶片平面内所述单晶硅膜的应力变化为0.5×10⁸Pa或更小。

6.根据权利要求1所述的SOS基板，其中所述单晶硅膜具有30nm或更大的厚度。

7.根据权利要求1所述的SOS基板，其中在所述单晶硅膜和所述蓝宝石基板之间存在二氧化硅膜。

8.根据权利要求1所述的SOS基板，其中所述单晶硅膜的厚度变化为20nm或更小。

9.一种半导体装置，包括根据权利要求1所述的SOS基板。