[发明专利]金属沉积无效
| 申请号: | 201080059600.5 | 申请日: | 2010-10-29 |
| 公开(公告)号: | CN102725441A | 公开(公告)日: | 2012-10-10 |
| 发明(设计)人: | L·科索沃斯基 | 申请(专利权)人: | 肖克科技有限公司 |
| 主分类号: | C25D5/48 | 分类号: | C25D5/48 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 钱孟清 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 金属 沉积 | ||
1.一种用于构建载流结构的方法,所述方法包括:
设置电压可切换介电材料层,所述层包括具有第一特性电压的第一区域、以及具有比所述第一特性电压大的第二特性电压的第二区域;
将所述电压可切换介电材料暴露给与电导体相关联的离子源;
在所述层和所述离子源之间产生第一电压,所述第一电压大于所述第一特性电压且小于所述第二特性电压;以及
在所述第一区域上沉积所述电导体。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述层设置在导电背板上。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一区域中的所述电压可切换介电材料具有第一厚度,而所述第二区域中的所述电压可切换介电材料具有第二厚度。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述电导体在所述第一电压下未设置在所述第二区域上。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一和第二区域中的任一个包含两种或更多种电压可切换介电材料。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述电导体包含Cu、Al、Ti、Ag、Au、以及Pt中的任一种。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述沉积包括电镀。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一电压包括周期性电压。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一电压在2和50伏特之间。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述第一电压在5和20伏特之间。
11.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:
在所述层和所述离子源之间产生第二电压,所述第二电压大于所述第一和第二特性电压;以及
在所述第一和第二区域上沉积所述电导体。
12.一种用于构建载流结构的方法,所述方法包括:
设置电压可切换介电材料层,所述层包括具有第一特性电压的第一区域、以及具有比所述第一特性电压大的第二特性电压的第二区域;
将所述电压可切换介电材料暴露给与电导体相关联的离子源;
在所述层和所述离子源之间产生第一电压,所述第一电压大于所述第一和第二特性电压;以及
在所述第一和第二区域上沉积所述电导体。
13.如权利要求12所述的方法,其特征在于,还包括:从所述第一区域蚀刻所述电导体。
14.如权利要求13所述的方法,其特征在于,在蚀刻之后所述第二区域保留在所述电导体的至少一部分处。
15.如权利要求12所述的方法,其特征在于,还包括:
在所述层和所述离子源之间产生第二电压,所述第二电压大于所述第一特性电压且小于所述第二特性电压,所述第二电压具有诱发所沉积电导体的蚀刻的极性;以及
从所述第一区域蚀刻所述电导体。
16.如权利要求15所述的方法,其特征在于,在蚀刻之后所述第二区域保留在所述电导体的至少一部分处。
17.如权利要求12所述的方法,其特征在于,所述层设置在导电背板上。
18.如权利要求12所述的方法,其特征在于,所述第一区域中的所述电压可切换介电材料具有第一厚度,而所述第二区域中的所述电压可切换介电材料具有第二厚度。
19.如权利要求12所述的方法,其特征在于,所述第一和第二区域中的任一个包含两种或更多种电压可切换介电材料。
20.如权利要求12所述的方法,其特征在于,所述电导体包含Cu、Al、Ti、Ag、Au、以及Pt中的任一种。
21.如权利要求12所述的方法,其特征在于,所述沉积包括电镀。
22.如权利要求12所述的方法,其特征在于,所述第一电压包括周期性电压。
23.如权利要求15所述的方法,其特征在于,所述第二电压包括周期性电压。
24.一种结构,包括:
导电背板;
设置在所述导电背板上的电压可切换介电材料,所述电压可切换介电材料包括具有第一特性电压的第一区域、以及具有第二特性电压的第二区域;以及
设置在所述第一和第二区域中的任一个上的一个或多个导体。
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