[发明专利]抗蚀剂下层组合物以及使用该组合物制造半导体集成电路器件的方法

权利要求书

1.一种抗蚀剂下层组合物，包括：

有机硅烷缩聚产物，包括10到40mol%的由以下化学式1表示的结构单元，以及溶剂：

[化学式1]

其中，在化学式1中，

ORG选自由C6到C30官能团组成的组中，所述官能团包括取代的或未取代的芳香环、C1到C12烷基、以及-Y-{Si(OR)₃}_a，且

R是C1到C6烷基，Y是直链或支链的取代的或未取代的C1到C20亚烃基；或主链中包括选自由以下组成的组中的取代基的C1到C20亚烃基：亚烯基、亚炔基、亚芳基、杂环基、脲基、异氰尿酸酯基、及其组合，且a是1或2。

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层组合物，其中所述有机硅烷缩聚产物进一步包括由以下化学式2或3表示的结构单元：

[化学式2]

[化学式3]

其中，在化学式2和3中：

ORG选自由C6到C30官能团组成的组中，所述官能团包括取代的或未取代的芳香环、C1到C12烷基、以及-Y-{Si(OR)₃}_a，

R是C1到C6烷基，Y是直链或支链的取代的或未取代的C1到C20亚烃基；或主链中包括选自由以下组成的组中的取代基的C1到C20亚烃基：亚烯基、亚炔基、亚芳基、杂环基、脲基、异氰尿酸酯基、及其组合，且a是1或2，以及

Z选自由氢和C1到C6烷基组成的组中。

3.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层组合物，其中所述有机硅烷缩聚产物是从以下化学式4到6表示的化合物在酸催化剂或碱催化剂下产生的：

[化学式4]

[R¹O]₃Si-X

[化学式5]

[R²O]₃Si-R³

[化学式6]

{[R⁴O]₃Si}_n-Y

其中，在化学式4到6中：

R¹、R²和R⁴相同或不同，且每个都独立地为C1到C6烷基，

R³为C1到C12烷基，

X为包括取代或未取代芳香环的C6到C30官能团，

Y为直链或支链的取代的或未取代的C1到C20亚烃基；或主链中包括选自由以下组成的组中的取代基的C1到C20亚烃基：亚烯基、亚炔基、亚芳基、杂环基、脲基、异氰尿酸酯基、及其组合，且

n是2或3。

4.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层，其中包括取代或未取代的芳香环的C6到C30官能团由以下化学式21表示：

[化学式21]

^*-(L)_m-X¹

其中，化学式21中：

L是直链或支链的取代的或未取代的C1到C20亚烃基，其中所述亚烃基中的一个或两个或更多碳可选地由选自以下组成的组中的官能团取代，或不被其取代：醚基（-O-）、羰基（-CO-）、酯基（-COO-）、胺基（-NH-）、及其组合，

X¹是取代的或未取代的C6到C20芳基，取代的或未取代的C7到C20芳基羰基，和取代的或未取代的C9到C20色烯酮基，且

m是0或1。

5.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层组合物，其中基于所述抗蚀剂下层组合物总量，包括的所述有机硅烷缩聚产物的量为约1wt%到50wt%。

6.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层组合物，其中所述抗蚀剂下层组合物进一步包括选自由交联剂、自由基稳定剂、表面活性剂、及其组合组成的组中的添加剂。