[发明专利]沉积后的晶片清洁配方

权利要求书

1.一种用于施加到晶片表面的溶液，所述晶片表面包含金属帽层，所述溶液对从所述晶片表面冲洗所述金属帽层的腐蚀产物同时减少所述金属帽层的腐蚀有效，所述溶液包含，

表面活性剂，配置所述表面活性剂以增强所述晶片表面的润湿并抑制所述帽层进一步腐蚀；

其中在施加到所述晶片表面期间，将所述溶液维持在pH大约小于3。

2.根据权利要求1所述的溶液，其中所述表面活性剂在所述金属帽层上形成自组装单层。

3.根据权利要求1所述的溶液，其中所述表面活性剂为两性表面活性剂。

4.根据权利要求3所述的溶液，其中所述表面活性剂在所述溶液中的浓度大约在10ppm至2000ppm的范围内。

5.根据权利要求3所述的溶液，其中所述表面活性剂在所述溶液中的浓度大约在300ppm至700ppm的范围内。

6.根据权利要求1所述的溶液，进一步包含络合剂，配置所述络合剂以与从所述晶片表面溶出并进入所述溶液中的腐蚀产物结合。

7.根据权利要求6所述的溶液，其中所述络合剂抑制所述腐蚀产物的再沉积。

8.根据权利要求6所述的溶液，其中所述络合剂为草酸二水合物。

9.根据权利要求8所述的溶液，其中所述络合剂的浓度大约在0.05g/L至20g/L的范围内。

10.根据权利要求8所述的溶液，其中所述络合剂的浓度大约为1g/L。

11.根据权利要求1所述的溶液，进一步包含pH调节剂，配置所述pH调节剂以在施加到所述晶片表面期间使所述溶液的pH降低至大约小于3。

12.根据权利要求11所述的溶液，其中所述pH调节剂为次磷酸。

13.根据权利要求11所述的溶液，其中所述pH调节剂的浓度在大约0.01g/L至20g/L的范围内。

14.根据权利要求11所述的溶液，其中所述pH调节剂的浓度为大约8ml/L 50w/w%。

15.根据权利要求1所述的溶液，

其中所述表面活性剂为两性表面活性剂；

进一步包含络合剂，配置所述络合剂以与从所述晶片表面溶出并进入所述溶液中的腐蚀产物结合，所述络合剂选自羟乙基二膦酸、草酸二水合物、植酸和焦磷酸；以及

进一步包含pH调节剂，配制所述pH调节剂以在施加到所述晶片表面期间使所述溶液的pH降低至大约小于3，所述pH调节剂选自次磷酸、甲磺酸、硫酸、三氟甲基磺酸和三氟乙酸。

16.根据权利要求1所述的溶液，其中在与沉积溶液交叉污染的情况下，所述溶液不显著抑制用于产生所述金属帽层的回收的所述沉积溶液的功能性。

17.根据权利要求1所述的溶液，其中所述晶片表面包含介电材料区，所述介电材料区具有在施加所述溶液之前位于其上的所述帽层的腐蚀产物。

18.根据权利要求17所述的溶液，其中所述介电材料具有大约小于或等于3.0的K值。

19.根据权利要求1所述的溶液，其中所述金属帽层由钴或钴合金组成。