[发明专利]薄膜光电池、制造方法及应用

权利要求书

1.薄膜光电池(10)，包括n型半导体窗口层(40)、p型半导体吸收层(5)和在这两个层之间的界面处的pn结(6)，其中所述p型半导体吸收层由碲化镉CdTe形成，其特征在于所述n型半导体窗口层(40)包含氧化锌/硫化锌Zn(O,S)。

2.根据权利要求1所述的薄膜光电池(10)，其特征在于所述n型半导体窗口层材料通过原子层沉积ALD被沉积。

3.制备薄膜光电池(40)的方法，包括形成n型半导体窗口层(40)和p型半导体吸收层(5)以便在这两个层之间的界面处形成pn结(6)的步骤，其中所述p型半导体吸收层由碲化镉CdTe形成，其特征在于所述n型半导体窗口层(40)被形成以便包含氧化锌/硫化锌Zn(O,S)。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于所述n型半导体窗口层材料通过原子层沉积ALD被沉积。

5.氧化锌/硫化锌Zn(O,S)在薄膜光电池(10)窗口层(40)中的应用，所述薄膜光电池(10)包括n型半导体窗口层(40)、p型半导体吸收层(5)和在该两个层的界面处的pn结(6)，其中所述p型半导体吸收层由碲化镉CdTe形成。

6.根据权利要求5所述的应用，其中所述n型半导体窗口层材料通过原子层沉积ALD被沉积。