[发明专利]有源矩阵基板和具有其的显示面板、以及有源矩阵基板的制造方法无效
申请号: | 201080058007.9 | 申请日: | 2010-08-23 |
公开(公告)号: | CN102696112A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 近间义雅;胜井宏充;锦博彦;太田纯史;水野裕二;原猛;会田哲也;铃木正彦;竹井美智子;中川兴史;春本祥征 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/336 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有源 矩阵 具有 显示 面板 以及 制造 方法 | ||
1.一种有源矩阵基板,其特征在于,包括:
呈矩阵状设置的多个像素电极;和
分别与所述各像素电极连接的多个薄膜晶体管,
所述各薄膜晶体管具有:设置于绝缘基板的栅极电极;以覆盖该栅极电极的方式设置的栅极绝缘膜;在该栅极绝缘膜上以与所述栅极电极重叠的方式设置的氧化物半导体层;和以互相对峙的方式设置,且分别与该氧化物半导体层连接的源极电极和漏极电极,其中
在所述源极电极和漏极电极与所述氧化物半导体层之间,以覆盖该氧化物半导体层的方式设置有保护绝缘膜。
2.如权利要求1所述的有源矩阵基板,其特征在于:
所述漏极电极与所述各像素电极一体形成,
所述源极电极与所述各像素电极由相同材料形成在同一层。
3.如权利要求1或2所述的有源矩阵基板,其特征在于,包括:
以互相平行地延伸的方式设置的多个栅极线;和
在与所述各栅极线交叉的方向上以互相平行地延伸的方式设置的多个源极线,
在所述各栅极线与所述各源极线的交叉部分,配置有所述栅极绝缘膜和所述保护绝缘膜。
4.如权利要求3所述的有源矩阵基板,其特征在于:
所述保护绝缘膜是涂敷型的绝缘膜。
5.如权利要求1至4中的任一项所述的有源矩阵基板,其特征在于:
在所述各像素电极与所述保护绝缘膜之间设置有层间绝缘膜。
6.一种显示面板,其特征在于,包括:
以互相相对的方式设置的有源矩阵基板和相对基板;和
在所述有源矩阵基板与相对基板之间设置的显示介质层,其中
所述有源矩阵基板具有:
呈矩阵状设置的多个像素电极;和
分别与所述各像素电极连接的多个薄膜晶体管,
所述各薄膜晶体管具有:设置于绝缘基板的栅极电极;以覆盖该栅极电极的方式设置的栅极绝缘膜;在该栅极绝缘膜上以与所述栅极电极重叠的方式设置的氧化物半导体层;和以互相对峙的方式设置,且分别与该氧化物半导体层连接的源极电极和漏极电极,
在所述源极电极和漏极电极与所述氧化物半导体层之间,以覆盖该氧化物半导体层的方式设置有保护绝缘膜。
7.一种有源矩阵基板的制造方法,其特征在于:
该有源矩阵基板包括:
呈矩阵状设置的多个像素电极;和
分别与所述各像素电极连接的多个薄膜晶体管,
所述各薄膜晶体管具有:设置于绝缘基板的栅极电极;以覆盖该栅极电极的方式设置的栅极绝缘膜;在该栅极绝缘膜上以与所述栅极电极重叠的方式设置的氧化物半导体层;和以互相对峙的方式设置,且分别与该氧化物半导体层连接的源极电极和漏极电极,
所述有源矩阵基板的制造方法包括:
在绝缘基板上形成所述栅极电极的栅极电极形成工序;
半导体层形成工序,在以覆盖所述栅极电极的方式形成所述栅极绝缘膜之后,在该栅极绝缘膜上形成所述氧化物半导体层;
保护绝缘膜形成工序,在以覆盖所述氧化物半导体层的方式形成绝缘材料膜之后,对该绝缘材料膜进行图案形成,形成所述氧化物半导体层的与所述源极电极和漏极电极连接的部分开口的保护绝缘膜;和
像素电极形成工序,在以覆盖所述保护绝缘膜的方式形成透明导电膜之后,对该透明导电膜进行图案形成,形成所述各像素电极、源极电极和漏极电极。
8.如权利要求7所述的有源矩阵基板的制造方法,其特征在于:
在所述保护绝缘膜形成工序中,以覆盖所述绝缘材料膜的方式形成金属膜,对该金属膜进行图案形成,形成与所述源极电极连接的源极线之后,对所述绝缘材料膜进行图案形成,形成所述保护绝缘膜。
9.如权利要求7或8所述的有源矩阵基板的制造方法,其特征在于:
在所述保护绝缘膜形成工序中,以覆盖所述绝缘材料膜的方式形成其他的绝缘材料膜,对该绝缘材料膜和其他的绝缘材料膜的层叠膜进行图案形成,由该绝缘材料膜形成保护绝缘膜,并且由该其他的绝缘材料膜形成成为所述各像素电极、源极电极和漏极电极的下层的层间绝缘膜。
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