[发明专利]用于处理基片的基片表面的方法和装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于处理按照权利要求1的前序部分所述的基片表面的方法以及一种适合用于实施该方法的装置。

背景技术

文献DE 10 2005 062 527 A1和DE 10 2005 062 528 A1公开了用于在一侧处理平面的基片、更确切地说是处理基片下侧面或者说朝下指向的基片侧面的方法。在使用这种方法时，尽管在基片下面进行抽吸，但是能够通过反应气体或者说从过程介质中释放出来的气体、在某种情况下也通过直接的接触引起基片上侧面的轻微侵蚀。此外，根据基片的输送速度、过程介质或者说化学剂的混合以及基片表面的情况会出现过程介质的不期望的边缘卷边。由此基片上侧面能够被侵蚀，以及在外观上、或者更为严重的是在功能上受到损害。

发明内容

本发明的任务在于，提供一种本文开头所述的方法和一种相应的装置。利用这种方法和装置可消除现有技术的问题，并且尤其提供了这样一种可能性，即能避免基片的朝上指向的基片上侧面受到尤其是以释放气体的形式存在的过程介质的、不期望的和有害的作用。

该任务通过一种具有权利要求1的特征的方法和一种具有权利要求16的特征的装置来解决。本发明的有利的和优选的设计方案是其它权利要求的主题，并且在下面进行更加详细的说明。下述特征中的某些特征只是用于描述方法的，有些只是用于描述装置的。然而，它们应该彼此独立地既适用于方法也适用于装置。通过明确地参考说明书的内容形成权利要求的条文。

本发明规定，用通常流体的过程介质处理基片表面或者说基片下侧面。过程介质对于基片表面具有一种剥蚀的作用或者说腐蚀的作用，例如用于太阳能电池的硅基片的抛光腐蚀（Polier?tzen）或者边缘绝缘。在此从下面利用过程介质润湿水平放置的基片。这一工序能够以现有技术已公开的、不同的类型和方式进行。根据本发明，利用水或者其它相应的保护液体平面地或者说有利地甚至全表面地润湿或者覆盖向上指向的或者说对准的基片上侧面。这起到保护作用，防止过程介质或者由所述过程介质释放的气体产生作用到或者说到达基片上侧面上，也就是说可以防止这种情况的发生。也就是说水或者保护液体在基片上侧面上形成一个保护层，从而所述基片上侧面就能够不被过程介质损害。将例如像水或者其它的保护液体那样的液体用作保护层或者说保护介质的优点在于，液体易于涂覆，并且又可以容易地清除掉，并且不会对基片上侧面产生机械的破坏作用，也就是不会产生划痕等等。此外，能够如此有利地选择水或者通常的保护液体，从而使得它们绝对不与基片上侧面发生反应，或者产生其它负面损害。最后能够使水或者说保护液体如此与过程介质的选择协调一致，从而从基片上侧面流下来的水或者说相应的保护液体能够到达过程介质中，并且这虽然可能会稀释过程介质。但是由于量小，过程介质的、仅仅影响不大的并且甚至没有负面的损害的作用通常为腐蚀作用。对此下面还将更详细地进行说明。

有利地，可在利用过程介质润湿基片或者说基片下侧面之前将保护液体涂覆到基片上侧面上。尤其是甚至在基片移动经过在其中装有过程介质的槽上面之前就涂覆保护液体，也就是说在时间上明显地在移动到输送轨道上之前或者说在移动到输送轨道上大约半米或者更小之前就涂覆保护液体。通过这一措施可以实现：向下流的保护液体根本就不能到达在其中装有过程介质的槽中。通常在所述槽上方利用过程介质进行处理的几秒种或者几分钟的持续时间可以足够一次性地将保护液体涂覆到基片上侧面上。

在本发明的其它设计方案中，以连续方法将保护液体涂覆到运动的基片上或者说所述基片的基片上侧面上。这有利地可利用一种喷嘴或者喷嘴管形式的、固定的涂覆装置来完成，然而也有利地利用较小的压力、例如也可借助波峰管来完成。可容易地调节在基片上侧面上的期望的液量或者说液膜厚度。

即使在有些情况中仅仅一次地将保护液体涂覆到基片上侧面上可能就足够了，但是也能够有利地规定，多次地或者说具有时间间隔地将保护液体涂覆到基片上侧面上，或者说由此对通过此措施形成的保护膜进行更新。这例如也可以通过下述措施实现：在基片在其中装有过程介质的槽上方移动期间将保护液体涂覆到基片上侧面上。或者在此可以非常精确地进行涂覆，从而使到达槽中的保护液体尽可能地少；或者可以设置专门界定的区域，或者使基片再一次地从中输送出来，然而这种做法通常过于昂贵。