[发明专利]用于操作工业过程的方法

权利要求书

1.一种用于在脉冲功率输出操作中对等离子装置、感应加热装置或激光激发装置进行操作的方法，在功率输出时间段ΔT₁内产生第一功率P_OUT1.1，并且将所述第一功率P_OUT1.1在功率发生器的功率输出端处释放，以将功率供应给等离子过程、感应加热过程或激光激发过程，并且通过控制所述功率发生器的至少一个半导体开关元件（9），在脉冲中断时间段ΔT₂内在所述功率发生器的所述功率输出端不输出适于等离子过程、感应过程或激光激发过程的触发或操作的功率P_OUT2.1，在所述功率输出时间段ΔT₁期间在产生所述第一功率P_OUT1.1的同时在所述至少一个半导体开关元件（9）中产生第一功耗P_V1，在所述脉冲中断时间段ΔT₂期间在所述至少一个半导体开关元件（9）中产生第二功耗P_V2，并且将产生的所述功耗P_V1、P_V2转换成热量，通过对所述半导体开关元件的适当控制，防止了所述半导体开关元件（9）的温度下降超过预定值，并且所述功率输出操作和所述脉冲中断操作持续交替。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述功率输出时间段和所述脉冲中断时间段以由所述等离子装置、所述感应加热装置或所述激光激发装置预先确定的频率fp来交替。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述功率输出时间段期间，以频率fn产生交流功率，其中fn>fp。

4.根据权利要求2或权利要求3所述的方法，其特征在于，fp在0.01Hz到50kHz的范围内。

5.根据任意一个前述权利要求所述的方法，其特征在于，根据所述第一功率P_OUT1.1的预定值或测量值来建立所述第一功耗P_V1，基于建立的所述第一功耗P_V1来确定要被调整的所述第二功耗P_V2，并且控制所述至少一个半导体开关元件（9）以产生所述第二功耗P_V2。

6.根据任意一个前述权利要求所述的方法，其特征在于，通过与从数据存储器（34）读取的所述功率P_OUT1.1相关联的值来确定所述第一功耗P_V1。

7.根据任意一个前述权利要求所述的方法，其特征在于，基于下面的值中的一个或多个值来调整所述第二功耗P_V2：

-所述功率输出时间段ΔT₁的持续时间

-所述脉冲中断时间段ΔT₂的持续时间

-所述功率随时间的变化

-所述半导体开关元件中的所述功耗随时间的变化

-所建立的温度或温度曲线

-所建立的电压值或电压曲线

-所建立的电流值或电流曲线

-所述功率的曲线的时间导数、所述半导体开关元件中的所述功耗的时间导数、所述温度曲线的时间导数、所述电压曲线的时间导数或所述电流曲线的时间导数。

8.根据任意一个前述权利要求所述的方法，其特征在于，所述第二功耗P_V2的大小与所述第一功耗P_V1的大小相同。

9.根据任意一个前述权利要求所述的方法，其特征在于，在所述功率输出时间段ΔT₁期间控制所述至少一个半导体开关元件（9、10）几次进入导通状态和截止状态，在所述导通状态，所述至少一个半导体开关元件（9、10）具有开关电阻R_on，在所述截止状态，所述至少一个半导体开关元件（9、10）具有截止电阻R_off，并且在所述脉冲中断时间段ΔT₂期间，将所述至少一个半导体开关元件至少暂时性地切换到部分导通状态，在所述部分导通状态，所述至少一个半导体开关元件（9、10）具有过渡电阻R_v，通过R_on<R_v以及R_v<R_off来给定所述电阻。