[发明专利]液晶显示设备和电子设备有效

专利信息
申请号: 201080057378.5 申请日: 2010-11-19
公开(公告)号: CN102667910A 公开(公告)日: 2012-09-12
发明(设计)人: 山崎舜平 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36;G02F1/1345;G02F1/1368;G09G3/20
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 秦晨
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 液晶显示 设备 电子设备
【权利要求书】:

1.一种液晶显示设备,包括:

布置成矩阵形式的多个像素,所述多个像素中的每个像素包括:

晶体管,所述晶体管的开关由扫描线驱动器电路控制;

液晶元件,所述液晶元件包括一个端子和另一个端子,图像信号从信号线驱动器电路经由所述晶体管被输入至所述一个端子,公共电势被供给至所述另一个端子,使得施加对应于所述图像信号的电压;以及

电容器,所述电容器存储施加至所述液晶元件的电压,

其中,包括控制所述扫描线驱动器电路和所述信号线驱动器电路的操作并且选择所述图像信号至每个像素的输入的控制电路,

其中,所述晶体管包括沟道形成区,所述沟道形成区包括氧化物半导体层,并且

其中,在截止状态中所述图像信号经由所述晶体管的泄漏的量小于所述图像信号经由所述液晶元件的泄漏的量。

2.一种液晶显示设备,包括:

像素部分,所述像素部分包括布置成矩阵形式的多个像素,所述多个像素中的每个像素包括:

晶体管,所述晶体管的开关由扫描线驱动器电路控制;

液晶元件,所述液晶元件包括第一电极和第二电极,图像信号从信号线驱动器电路经由所述晶体管被输入至所述第一电极,公共电势被施加至所述第二电极,使得施加对应于所述图像信号的电压;以及

电容器,所述电容器存储输入至所述第一电极的所述图像信号,

其中,所述像素部分包括:

存储器电路,所述存储器电路存储用于形成第一图像的图像信号至用于形成第n个图像的图像信号,其中,n是大于或等于2的自然数;

比较电路,所述比较电路将用于形成第k个图像的图像信号和用于形成第k+1个图像的图像信号进行比较并且检测所述图像信号之间的差异,其中,k是小于n的自然数;

选择电路,所述选择电路基于所述差异选择所述用于形成第k+1个图像的图像信号至所述像素部分的输出;以及

显示控制电路,所述显示控制电路当检测到所述差异时可执行控制信号至所述扫描线驱动器电路和所述信号线驱动器电路的供给,并且当没有检测到所述差异时停止所述控制信号至所述扫描线驱动器电路和所述信号线驱动器电路的供给,

其中,所述晶体管包括沟道形成区,所述沟道形成区包括氧化物半导体层,并且

其中,在截止状态中所述图像信号经由所述晶体管的泄漏的量小于所述图像信号经由所述液晶元件的泄漏的量。

3.一种液晶显示设备,包括

布置成矩阵形式的多个像素,所述多个像素中的每个像素包括:

晶体管;

液晶元件,所述液晶元件电连接至所述晶体管,所述液晶元件包括被配置为经由所述晶体管将图像信号供给至其的端子;以及

电容器,所述电容器存储施加至所述液晶元件的电压;

其中,所述晶体管包括沟道形成区,所述沟道形成区包括氧化物半导体层,并且

其中,在所述晶体管的截止状态中所述图像信号经由所述晶体管的泄漏的量小于所述图像信号经由所述液晶元件的泄漏的量。

4.根据权利要求1的液晶显示设备,

其中,所述晶体管包括沟道形成区,所述沟道形成区包括基本本征的氧化物半导体层。

5.根据权利要求2的液晶显示设备,

其中,所述晶体管包括沟道形成区,所述沟道形成区包括基本本征的氧化物半导体层。

6.根据权利要求3的液晶显示设备,

其中,所述晶体管包括沟道形成区,所述沟道形成区包括基本本征的氧化物半导体层。

7.根据权利要求1的液晶显示设备,

其中,包括在所述液晶元件中的液晶材料的比电阻率在1×1014Ω·cm以上。

8.根据权利要求2的液晶显示设备,

其中,包括在所述液晶元件中的液晶材料的比电阻率在1×1014Ω·cm以上。

9.根据权利要求3的液晶显示设备,

其中,包括在所述液晶元件中的液晶材料的比电阻率在1×1014Ω·cm以上。

10.根据权利要求1的液晶显示设备,

其中,所述晶体管的断态电流是10aA/μm或更小。

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