[发明专利]石墨烯在基底上大面积的沉积及包含其之制品

权利要求书

1.一种制备涂覆物品的方法，该方法包括:

提供一种具有涂覆表面的基底；

将一种自组装单层（SAM）模板置于所述涂覆表面上；

提供一种包括前体分子的前驱物，所述前体分子为一种多环芳烃（PAH）与盘状分子；

溶解所述前驱物以形成一种溶液；

将所述溶液施用到具有所述SAM模板置于其上的所述基底；

将所述前体分子光化学贴附到所述SAM模板；及

加热所述基底到至少450℃以形成一种含有石墨烯的薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底为一种玻璃基底。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底为一种硅片。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括提供一种在设置所述SAM模板之前在所述涂覆表面上包括氧化硅的层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述SAM模板为硅烷二苯甲酮衍生物。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述SAM模板为氯二苯甲酮（CSBP）。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述SAM模板和/或所述前体分子包括一个或多于一个的烷基。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述前体分子为C96和/或HBC。

9.根据权利要求1所述的方法，进一步包括通过柱层析法净化所述溶液。

10.根据权利要求9所述的方法，进一步包括在氯仿和/或十二烷中准备所述溶液。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述前体分子的C-轴在所述光化学贴附之前和/或之后为大体上垂直于基底。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述光化学贴附包括向所述基底辐射UV能量。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述UV能量的波长位于320-380nm之间。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述加热是在真空中进行。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述加热是在包含惰性气体的环境中进行。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述加热是在包含Ar与C₂H₂气体的环境中进行。

17.一种制备涂覆物品的方法，该方法包括:

提供一种具有涂覆表面的基底；

将一种自组装单层（SAM）模板置于所述涂覆表面；

将一种溶液施用到具有所述SAM模板置于其上的所述基底，所述溶液包括一种包含前体分子的前驱物，所述前体分子为多环芳烃（PAH）分子；

通过辐射UV能量于其上将所述前体分子贴附到所述SAM模板；及

加热所述基底到至少450℃以形成一种含有石墨烯的薄膜，

其中所述SAM模板和/或所述前体分子包括一个或多于一个烷基以有助于确保所述前体分子的C-轴在所述光化学贴附之前和/或之后为大体上垂直于基底。

18.根据权利要求17所述的方法，进一步包括提供一种在设置所述SAM模板之前在所述涂覆表面上包括氧化硅的层。

19.根据权利要求17所述的方法，其中所述SAM模板为硅烷二苯甲酮衍生物。

20.根据权利要求17所述的方法，其中所述前体分子为C96和/或HBC。

21.根据权利要求17所述的方法，其中所述加热是在真空中进行的。

22.根据权利要求17所述的方法，其中所述加热是在包含惰性气体的环境中进行的。