[发明专利]蒽衍生物和发光元件有效

专利信息
申请号: 201080056863.0 申请日: 2010-12-10
公开(公告)号: CN102666501A 公开(公告)日: 2012-09-12
发明(设计)人: 伊藤祐一;土屋和彦;新内聪畅;高桥纯平 申请(专利权)人: 凸版印刷株式会社
主分类号: C07D251/24 分类号: C07D251/24;C09D11/00;C09K11/06;H01L51/50
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 白丽;陈建全
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 衍生物 发光 元件
【权利要求书】:

1.一种化合物,其特征在于,由下述式(1)的结构表示,

式中,X表示由可具有取代基的芳环或杂芳环衍生的残基或者单键,Ar1和Ar2是未取代或具有取代基的苯基或者杂芳基,Ar3是通过1个或6个以下的取代或未取代的芳环或者杂芳环共轭连接而成的碳数为60以下的基团、或者是与蒽环上的9位或10位的取代基相同的基团,X及Ar1至Ar3上的取代基、以及R1至R12独立地选自氢、氘、氟、氰基、三氟甲基、三甲基甲硅烷基、碳数为15以下的烷基、烷氧基及聚氧化烯基、碳数为15以下的取代或未取代的芳基及杂芳基、以及碳数为15以下的交联性取代基,另外,R1至R12的相邻的取代基彼此可连接形成环,n是0或1的整数。

2.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,由下述式(2)的结构表示,

式中,R1至R44独立地选自氢、氘、氟、氰基、三氟甲基、三甲基甲硅烷基、碳数为15以下的烷基、烷氧基及聚氧化烯基、碳数为15以下的取代或未取代的芳基及杂芳基、以及碳数为15以下的交联性取代基,n1和n2分别独立地为0或1的整数。

3.根据权利要求2所述的化合物,其特征在于,由下述式(3)的结构表示,

式中,R1至R8独立地选自氢、氘、氟、氰基、三氟甲基、三甲基甲硅烷基、碳数为15以下的烷基、烷氧基及聚氧化烯基、碳数为15以下的取代或未取代的芳基及杂芳基、以及碳数为15以下的交联性取代基。

4.根据权利要求3所述的化合物,其特征在于,R1及R3至R8是氢原子,R2是碳数为15以下的烷基。

5.一种化合物,其特征在于,由下述式(8)表示,

式中,R是碳数为1~4的烷基。

6.根据权利要求5所述的化合物,其特征在于,由下述式(9)的结构表示,

7.一种油墨组合物,其特征在于,在室温下在液体的介质中含有至少1种以上的权利要求1至6中任一项所述的化合物。

8.一种油墨组合物,其含有作为发光掺杂剂的权利要求1至4中任一项所述的化合物、以及电离势与电子亲合力之间的能量差大于所述掺杂剂的至少1种以上的主体材料。

9.根据权利要求8所述的油墨组合物,其特征在于,所述主体材料是权利要求5或6所述的化合物。

10.一种固体或液体的组合物,其特征在于,含有下述式(10)所示的化合物和至少1种以上的权利要求1至4中任一项所述的化合物,

式中,R是烷基,n是表示取代基个数的0至3的整数。

11.一种转印用供体基材,其是通过在形成了吸收光能并放热的层的基板或薄片上层叠含有权利要求1至6中任一项所述的化合物的转印层而成的。

12.一种发光元件,其是在对置的电极间或阳极与阴极之间的至少1层中具备含有发光材料的发光层的发光元件,其特征在于,形成于所述对置的电极间或阳极与阴极之间的至少1层含有权利要求1至6中任一项所述的化合物。

13.根据权利要求12所述的发光元件,其是在对置的电极间或阳极与阴极之间的至少1层中具备含有发光材料的发光层的发光元件,其特征在于,所述发光层至少含有作为发光掺杂剂的权利要求1至4中任一项所述的化合物、以及电离势与电子亲合力之间的能量差Eg大于所述发光掺杂剂的1种以上的主体材料。

14.根据权利要求13所述的发光元件,其特征在于,所述主体材料是权利要求5或6所述的化合物。

15.根据权利要求14所述的发光元件,其特征在于,所述发光掺杂剂以5~20wt%的比例含有在所述发光层中。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于凸版印刷株式会社,未经凸版印刷株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080056863.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top