[发明专利]液晶显示装置有效
| 申请号: | 201080056709.3 | 申请日: | 2010-11-10 |
| 公开(公告)号: | CN102656510A | 公开(公告)日: | 2012-09-05 |
| 发明(设计)人: | 森胁弘幸 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
| 主分类号: | G02F1/1337 | 分类号: | G02F1/1337;G02F1/1333;G02F1/1339;G02F1/1345 |
| 代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 液晶 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示装置,特别是涉及取向膜的涂敷区域的控制。
背景技术
液晶显示装置一般具有在一对基板之间封入有液晶层的结构。一对基板中的一方是形成有多个栅极配线、多个源极配线、多个像素电极和多个TFT等的TFT基板。一对基板中的另一方是形成有多个像素电极共用的共用电极的相对基板。液晶层被框状的密封构件包围密封于TFT基板和相对基板之间。
在TFT基板和相对基板中,在液晶层侧的表面设置有对该液晶层中的液晶分子的取向进行限制的取向膜。取向膜包括例如聚酰亚胺等的树脂膜,对其表面进行了摩擦处理、光取向处理。
取向膜是通过在TFT基板和相对基板的表面上涂敷液状的聚酰亚胺,然后烧制使其固化而形成的。聚酰亚胺可以通过例如柔版印刷法、喷墨印刷法等进行涂敷。
在此,在利用了上述喷墨法的取向膜的形成工序中,需要相对降低该取向膜材料的粘性,以使向基板喷出并命中的聚酰亚胺等取向膜材料在基板表面上充分扩展。然而,低粘性的取向膜材料在基板表面上会容易地扩展,因此容易扩展至本来不需要密封构件的形成区域。
对此,在专利文献1和2中提出了在TFT基板的密封构件形成区域和进行显示的像素区域之间形成槽结构,在该槽内汇集取向膜材料,由此防止过剩的取向膜材料的扩展。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:特开2004-361623号公报
专利文献2:特开2007-322627号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是,在如上述专利文献1和2所述形成用于汇集取向膜材料的槽结构的构成中,为确保汇集取向膜材料的容积,需要相对较宽地设置槽结构的形成区域。其结果是,从像素区域到密封构件形成区域的距离变长,因此难以缩小形成于像素区域的周围的边框状的非显示区域的宽度。
另一方面,也已知:在密封构件形成区域中形成多个电极部,使上述电极部通过分散混入于密封构件的导电性颗粒来与相对基板的共用电极导通。
在此,参照作为放大俯视图的图9和作为放大截面图的图10说明本发明要解决的问题和作为相关技术的液晶显示装置的密封形成区域的构成。
如图10所示,液晶显示装置100具有相互相对的TFT基板101和相对基板102。在TFT基板101的密封形成区域中形成有第1电极103和覆盖它的层间绝缘膜104。在层间绝缘膜104中,在与第1电极103的一部分重叠的位置贯通形成有开口部105。如图9所示,开口部105从基板法线方向看形成为矩形。
并且,在TFT基板101上以直接覆盖层间绝缘膜104的表面、开口部105的内壁面以及露出于开口部105内的第1电极103的方式形成有第2电极106。由此,第2电极106与第1电极103电连接。上述第2电极106包含例如ITO(Indium Tin Oxide:铟锡氧化物)等的透明导电膜。另外,在TFT基板101上不设置如上述专利文献1和2那样的槽结构。
在上述层间绝缘膜104上以覆盖第2电极106的方式形成有取向膜107。具有低粘性的取向膜材料在图9中从下侧的像素区域(未图示)在同图中向上侧扩展的结果是,取向膜107覆盖第2电极106且形成于开口部105的周围整体。
另一方面,在相对基板102上,在TFT基板101侧形成有包含ITO等的共用电极108。共用电极108的一部分与第2电极106相对。分散有多个导电性颗粒109的密封构件110介于相对基板102和TFT基板101之间。导电性颗粒109与共用电极108导通。
但是,如上所述,作为绝缘膜的取向膜107扩展至密封形成区域并覆盖着第2电极106,因此取向膜107介于第2电极106和导电性颗粒109之间的结果是,存在会阻碍通过导电性颗粒109的第2电极106和共用电极108的导通的问题。
本发明是鉴于上述问题而完成的,其目的在于,尽可能地缩小液晶显示装置的非显示区域并要确保一对基板间的电连接。
用于解决问题的方案
为达成上述目的,本发明以如下液晶显示装置为对象,上述液晶显示装置具备:第1基板;第2基板,其与上述第1基板相对配置:液晶层,其设置于上述第1基板和第2基板之间;以及密封构件,其设置于上述第1基板和第2基板之间,包围密封上述液晶层。
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