[发明专利]用于光伏电池的导体中的玻璃组合物

权利要求书

1.组合物，所述组合物包含：

(a)一种或更多种导电材料；

(b)一种或更多种玻璃料，其中所述玻璃料中的至少一种包含：SiO₂；B₂O₃；Bi₂O₃；0.1-3重量%的CeO₂；1-10重量%的F；和1-3重量%的Na+Li+K；和

(c)有机介质。

2.权利要求1的组合物，其中所述玻璃料中的至少一种还包含一种或更多种选自以下的组分：Ca、CaO、Mg、MgO、Sr、SrO、Ba和BaO。

3.权利要求1的组合物，其中CeO₂为0.75-2.5重量%。

4.权利要求1的组合物，其中所述玻璃料中的至少一种还包含一种或更多种选自以下的组分：ZnO、TiO₂、Ta₂O₅、Nb₂O₅和ZrO₂。

5.权利要求1的组合物，其中所述导电材料包括Ag。

6.权利要求1的组合物，其中所述玻璃料为所述总组合物的4-8重量%。

7.权利要求1的组合物，其中所述导电材料为所述总组合物的75-85重量%。

8.组合物，所述组合物包含：

(a)一种或更多种导电材料；

(b)一种或更多种玻璃料，其中所述玻璃料中的至少一种包含：

2.5-8重量%的SiO₂；

3-10重量%的B₂O₃；

25-80重量%的Bi₂O₃；

0.1-3重量%的CeO₂；

1-10重量%的F；和

1-3重量%的Na+Li+K；和

(c)有机介质。

9.权利要求1的组合物，其中Na选自：NaO、Na2F、以及它们的混合物；其中Li选自：Li2O、LiF、以及它们的混合物；并且其中K选自：K2O、KF、以及它们的混合物。

10.制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：

(a)提供半导体基底、一个或更多个绝缘膜、以及权利要求1所述的组合物；

(b)将所述绝缘膜施加到所述半导体基底，

(c)将所述厚膜组合物施加到所述半导体基底上的绝缘膜，以及

(d)焙烧所述半导体、绝缘膜和厚膜组合物。

11.权利要求10的方法，其中所述绝缘膜包含一种或更多种选自以下的组分：氧化钛、氮化硅、SiNx:H、氧化硅、以及氧化硅/氧化钛。

12.由权利要求10的方法制造的半导体装置。

13.半导体装置，包括电极，其中所述电极在焙烧之前包含权利要求1所述的组合物。

14.太阳能电池，包括权利要求13所述的半导体装置。

15.半导体装置，包括半导体基底、绝缘膜和正面电极，其中所述正面电极包含一种或更多种选自以下的组分：硅酸锌、硅锌矿和硅酸铋。