[发明专利]从用于等离子体室内的上部电极清除金属污染物的方法

权利要求书

1.一种从用于等离子体室内的上部电极清除金属污染物的方法，包括：将整个所述上部电极浸泡在由氢氧化铵、过氧化氢和水组成的清洁溶液内。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述上部电极在所述清洁溶液中浸泡10至60分钟。

3.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述清洁溶液内浸泡之前，

将所述上部电极浸泡在异丙醇内约30分钟；

用清洁室的擦布擦拭所述上部电极和用去离子水冲洗所述上部电极约2分钟；以及

在所述清洁溶液内浸泡之后，

用去离子水冲洗上部电极约5分钟；

用清洁室的擦布并使用去离子水擦拭上部电极约2分钟；

可选地，将所述上部电极浸泡在浓度为2%的硝酸溶液内2至5分钟，用去离子水冲洗上部电极约1至10分钟。

4.如权利要求3所述的方法，进一步包括重复所述步骤至少一次，接着用超纯水冲洗所述上部电极约1至30分钟。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述清洁溶液按照以下方式被配制，将基于NH₃的28-30wt%的浓缩的氢氧化铵水溶液、29-31wt%的过氧化氢水溶液和水，按照氢氧化铵:过氧化氢:水为1-2:1-2:2到1-2:1-2:20之间的体积比混合。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述体积比在1:1:2到1:1:10之间。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述上部电极包括单晶硅的网状电极。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述清洁溶液内不含氢氟酸和盐酸。

9.如权利要求1所述的方法，其中在不抛光所述上部电极的等离子体暴露表面的情况下进行清洁。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述清洁要在10000级或者更好的清洁室内进行。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述上部电极包括通过弹性接头连接到硅网状电极上的铝或者石墨衬垫构件。

12.如权利要求1所述的方法，进一步包括在清洁之前从等离子体室拆除所述上部电极并在相同或者不同的室中重新安装已清洁的所述上部电极。

13.如权利要求1所述的方法，其中所述清洁溶液将铜污染物从3000x10¹⁰个原子/cm²之上降低到不到50x10¹⁰个原子/cm²。

14.如权利要求1所述的方法，其中所述清洁溶液将镍污染物从200x10¹⁰个原子/cm²之上降低到不到5x10¹⁰个原子/cm²。

15.如权利要求1所述的方法，其中所述清洁溶液将锌污染物从250x10¹⁰个原子/cm²之上降低到不到75x10¹⁰个原子/cm²。

16.如权利要求1所述的方法，其中所述清洁溶液将铁污染物从50x10¹⁰个原子/cm²之上降低到不到5x10¹⁰个原子/cm²。

17.如权利要求1所述的方法，其中所述清洁溶液将钙污染物从700x10¹⁰个原子/cm²之上降低到不到400x10¹⁰个原子/cm²。

18.如权利要求1所述的方法，其中所述清洁溶液将镁污染物从50x10¹⁰个原子/cm²之上降低到不到20x10¹⁰个原子/cm²。

19.如权利要求1所述的方法，其中所述清洁溶液将钾污染物从450x10¹⁰个原子/cm²之上降低到不到5x10¹⁰个原子/cm²。