[发明专利]具有改进的底涂层的硅薄膜太阳能电池

权利要求书

1.一种硅薄膜太阳能电池，包含：

基材；

形成在所述基材的至少一部分上的底涂层，该底涂层包含：

包含氧化锡或二氧化钛的第一层；和

包含组成均匀或不均匀的含Sn、P、Si、Ti、Al和Zr中至少两种的氧化物的氧化物混合物的第二层；和

形成在所述底涂层的至少一部分上的导电涂层，其中所述导电涂层包含Zn、Fe、Mn、Al、Ce、Sn、Sb、Hf、Zr、Ni、Zn、Bi、Ti、Co、Cr、Si或In、或两种或更多种这些材料的合金中的一种或多种的氧化物。

2.权利要求1的太阳能电池，其中所述基材是玻璃。

3.权利要求1的太阳能电池，其中第一层的厚度为10nm至25nm。

4.权利要求1的太阳能电池，其中第二层包含Ti、Si和P的氧化物。

5.权利要求1的太阳能电池，其中第二层包含Sn、Si和P的氧化物。

6.权利要求1的太阳能电池，其中第二层包含30-80体积%的二氧化硅、1-15体积%的氧化磷、和5-69体积%的二氧化钛，并具有10nm至120nm的厚度。

7.权利要求1的太阳能电池，其中第二层的厚度为20nm至40nm。

8.权利要求1的太阳能电池，其中所述导电涂层包含选自F、In、Al、P和Sb中的至少一种掺杂剂。

9.权利要求8的太阳能电池，其中所述导电涂层包含氟掺杂的氧化锡。

10.权利要求1的太阳能电池，其中所述基材是玻璃，第一层包含氧化锡且厚度为10nm至25nm，第二层包含二氧化硅、氧化锡和氧化磷的混合物且厚度为20nm至40nm并且具有1摩尔%至40摩尔%的氧化锡，和所述导电涂层包含氟掺杂的氧化锡且厚度为大于470nm。

11.权利要求1的太阳能电池，其中所述基材是玻璃，第一层包含二氧化钛且厚度为10nm至15nm，第二层包含二氧化硅、二氧化钛和氧化磷的混合物且厚度为20nm至40nm并且具有低于25摩尔%的二氧化钛，和所述导电涂层包含氟掺杂的氧化锡且厚度为大于470nm。

12.一种涂布制品，包含：

基材；

包含氧化物混合物的介电层，所述氧化物混合物包含Sn、P、Si、和Ti中至少两种的氧化物，其中所述介电层是梯度层；和

在所述介电涂层上并且包含氟掺杂的氧化锡的导电涂层。

13.权利要求12的制品，其中所述介电层包含二氧化硅、二氧化钛和氧化磷。

14.权利要求12的制品，其中所述介电层包含二氧化硅、氧化锡、和氧化磷。