[发明专利]电子器件

权利要求书

1.一种用于制造包含双堤井限定结构的电子器件的方法，所述方法包括：

（a）提供电子基板；

（b）在所述基板上沉积第一绝缘材料以形成第一绝缘层；

（c）在所述第一绝缘层上沉积第二绝缘材料以形成第二绝缘层；

（d）去除所述第二绝缘层的一部分以暴露所述第一绝缘层的一部分并形成第二井限定堤；

（e）在所述第二绝缘层上和在所暴露的第一绝缘层的一部分上沉积抗蚀剂；

（f）去除所述第一绝缘层中没有被所述抗蚀剂覆盖的部分，以暴露所述电子基板的一部分并在所述第二井限定堤内形成第一井限定堤；以及

（g）去除所述抗蚀剂。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一井限定堤是在作为外堤的所述第二井限定堤之内的内堤。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述第二绝缘材料具有比所述第一绝缘材料更低的浸润性。

4.根据以上任一权利要求所述的方法，其中所述第一绝缘层由环氧基负性光致抗蚀剂形成。

5.根据以上任一权利要求所述的方法，其中所述第二绝缘层或者由具有氟化添加剂的负性光致抗蚀剂或者由氟化的正性光致抗蚀剂形成。

6.根据以上任一权利要求所述的方法，还包括将第一有机半导电材料的溶液沉积于所述第一井中的步骤，以及将第二有机半导电材料的溶液沉积于所述第一有机半导电材料之上并沉积于所述第二井中的步骤。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一和第二有机半导电材料的沉积导致用于所述第一和第二有机半导电材料的两种不同的插塞点。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其中所述第一有机半导电材料是空穴注入层（HIL）。

9.根据权利要求6-8中的任一权利要求所述的方法，其中所述第二有机半导电材料选自夹层（IL）和发光聚合物（LEP）。

10.根据以上任一权利要求所述的方法，其中所述去除所述第一绝缘层中没有被所述抗蚀剂覆盖的部分的步骤（f）使用湿法蚀刻或干法蚀刻，优选地使用O₂等离子体处理来实施。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述去除所述第一绝缘层中没有被所述抗蚀剂覆盖的部分的步骤（f）使用湿法蚀刻来实施。

12.根据权利要求10或11所述的方法，其中步骤（f）暴露所述电子基板的表面，使得它干净和亲水。

13.根据以上任一权利要求所述的方法，其中所述第二绝缘层具有80°或更大的接触角。

14.根据以上任一权利要求所述的方法，其中所述第一绝缘层具有100°或更大的接触角。

15.一种电子器件，可通过以上任一权利要求所限定的方法获得。

16.一种电子器件，包括：包含电路元件的电子基板；布置于所述电子基板之上的双堤井限定结构，所述双堤井限定结构包括限定第一井的第一层绝缘材料以及覆于所述第一层之上并限定第二井的第二层绝缘材料，所述第二层绝缘材料具有比所述第一层绝缘材料低的浸润性；布置于所述第一井内的第一层有机半导电材料；以及布置于所述第一层之上且在所述第二井内的第二层有机半导电材料，其中所述第一井的堤对包含空穴注入层的溶液是疏水性的。

17.根据权利要求16所述的电子器件，其中所述第一和第二井具有不同的剖面。

18.根据权利要求16或17所述的电子器件，具有用于所述第一和第二层有机半导电材料的不同的插塞点。

19.根据权利要求16到18中的任一权利要求所述的电子器件，其中所述第一和/或第二绝缘材料是在权利要求3到5、13和14中的任一权利要求所限定的材料。

20.根据权利要求16到19中的任一权利要求所述的电子器件，其中所述第一和/或第二半导电材料是在权利要求8或9中限定的材料。

21.根据权利要求16到20中的任一权利要求所述的电子器件，其中所述电子器件是有机薄膜晶体管，并且所述电子基板的所述电路元件包括源电极和漏电极，在所述源电极和漏电极之上布置有所述双堤结构，沟道区被限定于所述源电极和漏电极之间。

22.根据权利要求16到20中的任一权利要求所述的电子器件，其中所述电子器件是有机发光器件，并且所述电子基板的所述电路元件包括所述有机发光器件的下电极。