[发明专利]半导体密封用环氧树脂组合物、其固化体及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体密封用环氧树脂组合物，其特征在于，含有环氧树脂（A）和固化剂（B），对铜线和连接了所述铜线的半导体元件进行密封，

将所述半导体密封用环氧树脂组合物的固化体在200℃加热10小时时，由对所述铜线具有腐蚀性的硫化合物形成的第一腐蚀性气体的生成量为70ppm以下。

2.根据权利要求1所述的半导体密封用环氧树脂组合物，其特征在于，所述第一腐蚀性气体是亚硫酸气体。

3.根据权利要求1或2所述的半导体密封用环氧树脂组合物，其特征在于，由卤素化合物形成的第二腐蚀性气体、以及由有机酸形成的第三腐蚀性气体对所述铜线具有腐蚀性，将所述半导体密封用环氧树脂组合物的固化体在200℃加热10小时时，所述第一、第二以及第三腐蚀性气体的生成量的合计为230ppm以下。

4.根据权利要求3所述的半导体密封用环氧树脂组合物，其特征在于，所述第二腐蚀性气体是氯化氢气体。

5.根据权利要求3或4所述的半导体密封用环氧树脂组合物，其特征在于，所述第三腐蚀性气体由两种以上不同的有机酸形成。

6.根据权利要求3～5中任一项所述的半导体密封用环氧树脂组合物，其特征在于，所述第三腐蚀性气体含有甲酸和/或乙酸。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体密封用环氧树脂组合物，其特征在于，进一步含有水滑石。

8.根据权利要求7所述的半导体密封用环氧树脂组合物，其特征在于，所述水滑石是下述式（1）表示的化合物，

M_aAl_b(OH)_2a+3b-2c(CO₃)_c·mH₂O    （1）

式（1）中，M表示至少包含Mg的金属元素，a、b、c分别是满足2≤a≤8、1≤b≤3、0.5≤c≤2的数，m是0以上的整数。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体密封用环氧树脂组合物，其特征在于，所述环氧树脂（A）含有选自下述式（2）表示的环氧树脂、下述式（3）表示的环氧树脂、以及下述式（4）表示的环氧树脂中的至少1种，

式（2）中，Ar¹表示亚苯基或者亚萘基，Ar¹为亚萘基时，缩水甘油醚基可以键合在α位、β位中的任一个，Ar²表示亚苯基、亚联苯基及亚萘基中的任1个基团，R⁵和R⁶各自独立地表示碳原子数为1～10的烃基，g是0～5的整数，h是0～8的整数，n³表示聚合度，其平均值是1～3的正数；

式（3）中，存在多个的R⁹各自独立地表示氢原子或者碳原子数为1～4的烃基，n⁵表示聚合度，其平均值是0～4的正数；

式（4）中，存在多个的R¹⁰和R¹¹各自独立地表示氢原子或者碳原子数为1～4的烃基，n⁶表示聚合度，其平均值是0～4的正数。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体密封用环氧树脂组合物，其特征在于，所述环氧树脂组合物含有选自下述式（5）表示的化合物中的至少1种固化剂，

式（5）中，Ar³表示亚苯基或者亚萘基，Ar³为亚萘基时，羟基可以键合在α位、β位中的任一个，Ar⁴表示亚苯基、亚联苯基及亚萘基中的任1个基团，R⁷和R⁸各自独立地表示碳原子数为1～10的烃基，i是0～5的整数，j是0～8的整数，n4表示聚合度，其平均值是1～3的正数。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体密封用环氧树脂组合物，其特征在于，所述铜线的铜纯度为99.99质量%以上。

12.一种固化体，是权利要求1～11中任一项所述的半导体密封用环氧树脂组合物的固化体。