[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，该半导体存储装置的各存储单元由一个晶体管构成，所述存储单元由相邻的2比特形成一个扩散图案，相邻的两个晶体管共用源极区域，两个漏极区域被隔离；所述存储单元包括第一阵列和第二阵列，所述第一阵列和所述第二阵列配置有各个所述扩散图案中的至少一列；其特征在于：

所述第一阵列和所述第二阵列的每个阵列都具有独立的位线；

在阵列分割边界部，每个所述阵列的各条位线的一端部在一个扩散图案上分别位于隔着共用的源极区域彼此隔离的两个漏极区域上。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

每个所述阵列的各条位线的另一端部分别连接在各个逻辑电路上，

所述一列扩散图案上的所述逻辑电路侧的端部晶体管一直处于非活性状态，并且与处于所述非活性状态的晶体管共用源极区域的晶体管位于多个活性晶体管的列方向的端部。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于：

处于所述非活性状态的晶体管的栅极端子的电位不被控制。

4.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述逻辑电路具有与所述存储单元不同的电路结构。

5.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述逻辑电路包括放大器。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述存储单元为只读存储单元。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述存储单元为闪速存储单元。

8.一种半导体存储装置，该半导体存储装置的各存储单元由一个晶体管构成，所述存储单元由相邻的2比特形成一个扩散图案，相邻的两个晶体管共用源极区域，两个漏极区域被隔离；所述存储单元包括配置有所述扩散图案中的至少一列的存储阵列；其特征在于：

所述一列扩散图案上的列方向至少一端的晶体管一直处于非活性状态，并且与处于所述非活性状态的晶体管共用源极区域的晶体管位于多个活性晶体管的列方向的端部。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其特征在于：

处于所述非活性状态的晶体管的栅极端子的电位不被控制。

10.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述一列扩散图案上的列方向两端的晶体管都一直处于非活性状态。

11.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述存储阵列具有多列所述扩散图案，

多列所述扩散图案上的列方向至少一端的晶体管一直处于非活性状态，并且与处于所述非活性状态的晶体管共用源极区域的晶体管位于多个活性晶体管的列方向的端部。

12.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其特征在于：

该半导体存储装置包括：

配置有各个所述扩散图案的至少一列的第一阵列和第二阵列、以及

配置在所述第一阵列和所述第二阵列之间的逻辑电路；

所述一列扩散图案上的所述逻辑电路侧的端部晶体管一直处于非活性状态。

13.根据权利要求12所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述逻辑电路具有与所述存储单元不同的电路结构。

14.根据权利要求12所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述逻辑电路包括放大器。

15.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述存储单元为只读存储单元。

16.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述存储单元为闪速存储单元。