[发明专利]用于制备氢化聚锗烷的方法和氢化聚锗烷

权利要求书

1.一种用于制备氢化聚锗烷的方法，所述氢化聚锗烷作为纯化合物或化合物混合物，其中，使卤化聚锗烷氢化。

2.根据上一权利要求所述的方法，其中，所述卤化聚锗烷选自热制备的卤化聚锗烷和等离子体化学制备的卤化聚锗烷。

3.根据上述权利要求之一所述的方法，其中，所述卤化聚锗烷与带一个负电荷的氢化剂反应，所述氢化剂选自金属氢化物和/或准金属氢化物。

4.根据上一权利要求所述的方法，其中，所述氢化剂选自MH、MBH₄、MBH_4-xR_x、MAlH₄、AlH_xR_3-x及其混合物。

5.根据上述权利要求之一所述的方法，其中，所述氢化在选自-60℃至200℃的范围的温度下实施。

6.根据上述权利要求之一所述的方法，其中，所述氢化在选自1Pa至2000hPa的范围的压力下实施。

7.根据上述权利要求之一所述的方法，其中，所述将卤化聚锗烷在氢化之前在溶剂中稀释。

8.一种氢化聚锗烷，其作为纯化合物或化合物混合物，所述氢化聚锗烷具有：

-包含氢的取代基Z，

-为至少1∶1的Z∶锗的比例，

-通用式GeZ_x，其中x选自1≤x≤3，以及

-平均链长n，其中2≤n≤100。

9.根据上一权利要求所述的氢化聚锗烷，其根据权利要求1至7所述的方法来制备。

10.根据上述权利要求8或9之一所述的氢化聚锗烷，其具有一部分带有超过3个直接键合的锗原子的聚锗烷分子，其中至少8％的所述锗原子是分支位置。

11.根据上述权利要求8至10之一所述的氢化聚锗烷，其是化合物混合物，其中所述混合物的溶解性高于所述混合物中包含的至少一种单个化合物的溶解性。

12.根据上述权利要求8至11之一所述的氢化聚锗烷，其具有一部分带有超过三个直接键合的锗原子的聚锗烷分子，其中所述聚锗烷分子的通用式为GeZ_x，其中2.2≤x≤2.5。

13.根据上述权利要求8至12之一所述的氢化聚锗烷，其中，Z额外包含卤素。

14.根据前述权利要求所述的氢化聚锗烷，其卤素的份额小于2原子％。

15.根据上述权利要求8至14之一所述的氢化聚锗烷，其中，氢的份额大于50原子％。

16.根据上述权利要求8至15之一所述的氢化聚锗烷，其在¹H-NMR光谱中在6.5ppm到2.0ppm之间的化学位移范围内具有明显的产品信号。

17.根据上述权利要求8至16之一所述的氢化聚锗烷，其在¹H-NMR光谱中在3.6ppm到2.9ppm之间的化学位移范围内具有明显产品信号的总积分的至少80％的信号强度。

18.根据上述权利要求8至17之一所述的氢化聚锗烷，其在拉曼光谱中在2250至2000波数和330波数以下的范围中具有明显的产品带。

19.根据上述权利要求8至18之一所述的氢化聚锗烷，其是无色至浅黄色或象牙白的。

20.根据上述权利要求8至19之一所述的氢化聚锗烷，其作为无定形或结晶的固体存在。

21.根据上述权利要求8至20之一所述的氢化聚锗烷，其在浓度直至10％时在惰性溶剂中至少20％是可溶的。

22.根据上一权利要求所述的氢化聚锗烷，其中，可溶的氢化聚锗烷在降低的压力下超过20％是不分解地挥发的和/或可蒸馏的。

23.一种锗层，其由根据权利要求8至22所述的氢化聚锗烷来制备。

24.一种用于在基材上制备锗层的方法，其包括下列方法步骤：

A)将根据权利要求8至22所述的、固态或溶解的氢化聚锗烷涂覆在基材上，和

B)热解所述氢化聚锗烷。