[发明专利]用于保持硅熔体的装置

权利要求书

1.一种用于保持硅熔体的装置，包括：

a）坩埚（1；1a；1b），所述坩埚部分地包围用于保持所述熔体的内腔室（2），带有由基材制成的

i.基部（3；3a），以及

ii.至少一个侧壁（4；4b），

b)其中所述坩埚（1；1a；1b）包括用于均衡机械热应力的至少一个均衡装置（5）。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述均衡装置（5）布置在所述至少一个侧壁（4；4b）中。

3.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述均衡装置呈带有槽边缘（6）的槽（5）的形式设计，其中所述槽边缘（6）尤其设计成至少部分平行或彼此相向地延伸。

4.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，一个或多个大致水平的槽（5）布置在所述侧壁（4）中的一个或多个中。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述一个或多个大致水平的槽（5）呈圈状地延伸穿过所有侧壁（4）。

6.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述一个或多个大致水平的槽（5）不呈圈状地延伸而是部分地在一个或多个侧壁（4）中延伸。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述两个或更多水平的槽（5）布置成无大致水平重叠。

8.根据权利要求3至7中任一项所述的装置，其特征在于，所述槽（5）在一端包括呈圆（8）形式的防开裂装置，其中所述圆（8）优选地具有曲率半径（R），所述曲率半径（R）至少与所述槽（5）的宽度（B）一样大，尤其是所述宽度（B）的至少1.5倍，优选地是所述宽度（B）的至少两倍。

9.根据权利要求3至8中任一项所述的装置，其特征在于，所述至少一个槽（5）布置在所述侧壁（4；4b）的最远离所述基部（3；3a）的半部中。

10.根据权利要求3至9中任一项所述的装置，其特征在于，所述至少一个槽（5）在其最远离所述基部（3；3a）的一端开口。

11.根据权利要求3至10中任一项所述的装置，其特征在于，所述均衡装置（5）至少部分地被充填有填充材料（10），其中所述填充材料（10）是紧密填塞的粉末，尤其是元素硅、氮和/或氧的结合。

12.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，用于减小所述温度梯度的所述侧壁（4；4b）包括至少一个导热率不均匀的区域。

13.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述内腔室（2）尤其具有至少400cm²且优选地8,100cm²至12,100cm²的平方截面积（Q）。

14.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，在所述侧壁（4b）的与所述基部（3；3a）相对的一个自由端的区域内，设有至少一个覆盖条（13），其中所述覆盖条（13）优选地由具有导热系数（λ_L）的材料制成，所述导热系数（λ_L）至少与所述基材的导热系数（λ_S）一样大，λ_L≤λ_S，尤其是λ_L≤0.9×λ_S。

15.根据权利要求14所述的装置，其特征在于，所述覆盖条覆盖所述侧壁（4b）的所述自由端至少50%，尤其覆盖至少80%，优选地完全覆盖。

16.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述侧壁（4）至少部分设计成可相对于所述基部（3；3a）移位，尤其可从所述基部（3；3a）移除。

17.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述基部（3）具有侧向边缘（11），所述侧向边缘（11）从周边包围所述侧壁（4；4b）。

18.根据权利要求17所述的装置，其特征在于，所述基部（3a）的所述边缘（11）与所述侧壁（4；4b）之间形成有自由空间（12），所述自由空间（12）被填充有用于密封所述坩埚（1；1a；1b）的填充材料（10）。

19.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述基部（3a）至少部分地由具有导热系数（λ_B）的第一材料制成且所述侧壁（4；4b）至少部分地由具有导热系数（λ_S）的第二材料制成，其中λ_B不同于λ_S，尤其是λ_B>λ_S。