[发明专利]用于至少局部地除去层堆叠的层的方法有效
申请号: | 201080054591.0 | 申请日: | 2010-11-29 |
公开(公告)号: | CN102763220A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
发明(设计)人: | V.R.莫尔多万;C.T.诺伊格鲍尔 | 申请(专利权)人: | 曼兹股份公司 |
主分类号: | H01L27/142 | 分类号: | H01L27/142;H01L31/18 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧永杰;刘春元 |
地址: | 德国罗*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 至少 局部 除去 堆叠 方法 | ||
1.用于至少局部地除去层堆叠(1)的至少一个半导体层(4)的方法,其中,加热光密金属化层(3),使得位于其上方的半导体层脱离。
2.按照权利要求1的方法,其特征在于,加热光密金属化层(3),使得位于其上方的半导体层(4)的具有较小导热性的和/或较低沸点的至少一种成分蒸发。
3.按照权利要求1或2的方法,其特征在于,从背离半导体层(4)的侧来加热光密金属化层(3)。
4.按照以上权利要求之一的方法,其特征在于,穿过一个或多个光学透明的层(2)来加热光密金属化层(3)。
5.按照以上权利要求之一的方法,其特征在于,借助激光器(11,18)实现加热。
6.按照以上权利要求之一的方法,其特征在于,借助ns激光器(11,18)实现加热。
7.按照以上权利要求之一的方法,其特征在于,借助脉动激光器(11,18)实现加热。
8.按照以上权利要求之一的方法,其特征在于,借助在截面上正方形的或圆形的光学光导将激光束映射到层堆叠(1)上。
9.按照以上权利要求之一的方法,其特征在于,加热光密金属化层(3),使得该光密金属化层(3)蒸发。
10.按照以上权利要求之一的方法,其特征在于,执行太阳能电池的边缘除层。
11.按照以上权利要求之一的方法,其特征在于,执行太阳能电池结构化。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的