[发明专利]用于对发射辐射的光电子半导体器件进行分类的方法有效
| 申请号: | 201080054589.3 | 申请日: | 2010-11-16 |
| 公开(公告)号: | CN102630297A | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
| 发明(设计)人: | F.米歇尔;J.穆沙韦克;M.尼贝尔许茨 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号: | G01J3/46 | 分类号: | G01J3/46;F21K99/00 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧永杰;卢江 |
| 地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 发射 辐射 光电子 半导体器件 进行 分类 方法 | ||
1.用于对发射辐射的光电子半导体器件(20)进行分类的方法,具有步骤:
-提供发射辐射的光电子半导体器件(20),
-确定由发射辐射的光电子半导体器件(20)在运行中发射的光的颜色位置(8),
-将发射辐射的光电子半导体器件(20)划分成预先给定的颜色位置区域(6),所述颜色位置区域(6)包括所确定的颜色位置,其中
-从颜色位置区域的组(7)中选择预先给定的颜色位置区域(6)并且来自颜色位置区域的组的颜色位置区域中的至少一个包括蓝色颜色位置和/或包括不能被分配有相关色温的颜色位置。
2.根据前述权利要求所述的方法,其中,来自颜色位置区域的组(7)的颜色位置区域中的至少一个由扩展的普朗克曲线(12)切割或者与该扩展的普朗克曲线(12)邻接,其中该扩展的普朗克曲线在普朗克曲线(11)的高温端点(Tu)处继续该普朗克曲线(11)并且与该普朗克曲线(11)构成组合的曲线(1)。
3.根据上述权利要求所述的方法,其中,扩展的普朗克曲线(12)在普朗克曲线(11)的高温端点(Tu)处至少一次连续可微地继续该普朗克曲线(11)。
4.根据上述权利要求所述的方法,其中,该扩展的普朗克曲线(12)在CIE u’v’颜色空间中是至少二次样条。
5.根据上述权利要求所述的方法,其中,该扩展的普朗克曲线在CIE u’v’颜色空间中是二次贝塞尔样条。
6.根据权利要求4和5之一的方法,其中用于构建样条的点(Tu)是普朗克曲线(11)的高温端点。
7.根据权利要求4至6之一所述的方法,其中,用于构建样条的点(P)是在高温端点(Tu)处普朗克曲线(12)的切线(14)上的点。
8.根据权利要求4至7之一所述的方法,其中,用于构建样条的点(S)处于光谱色线(2)上。
9.根据上述权利要求之一所述的方法,其中
-给来自颜色位置区域的组(7)的每个颜色位置区域分配地址,
-地址具有第一参数(P),该第一参数说明颜色位置区域沿着组合的曲线(1)与普朗克曲线(12)的高温端点(Tu)的距离,以及
-地址具有第二参数(j),该第二参数说明颜色位置区域沿着贾德线(4)与组合的曲线(1)的距离。
10.根据上述权利要求之一所述的方法,其中来自颜色位置区域的组(7)的每个颜色位置区域的大小被选择为使得观察者对于来自相同颜色位置区域的颜色察觉不到区别。
11.根据上述权利要求之一所述的方法,其中来自颜色位置区域的组(7)的每个颜色位置区域的大小至多对应于3步MacAdam椭圆。
12.根据上述权利要求之一所述的方法,其中来自颜色位置区域的组(7)的每个颜色位置区域的大小大约相等或相等地对应于1步MacAdam椭圆(5)。
13.根据上述权利要求之一所述的方法,其中来自颜色位置区域的组(7)的每个颜色位置区域沿着组合的曲线的延伸(p)在CIE u’v’颜色空间中适当地至少为0.001并且至多为0.005。
14.根据上述权利要求之一所述的方法,其中来自颜色位置区域的组(7)的每个颜色位置区域沿着贾德线(4)的延伸(j)在CIE u’v’颜色空间中适当地至少为0.001并且至多为0.005。
15.根据上述权利要求之一所述的方法,其中用于预先给定的颜色位置区域(6)的测量值被存放在存储单元(21)中,该存储单元被固定在发射辐射的光电子半导体器件(20)的模块载体(22)上并且被电连接。
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