[发明专利]回焊镀Sn构件有效
申请号: | 201080054205.8 | 申请日: | 2010-10-26 |
公开(公告)号: | CN102666938A | 公开(公告)日: | 2012-09-12 |
发明(设计)人: | 前田直文 | 申请(专利权)人: | JX日矿日石金属株式会社 |
主分类号: | C25D7/00 | 分类号: | C25D7/00;C25D5/50;H01R13/03 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 庞立志;李炳爱 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 回焊镀 sn 构件 | ||
技术领域
本发明涉及适用于连接器、端子、继电器、开关等导电性弹簧材料,且在由Cu或Cu基合金构成的基材表面形成回焊(リフロー)Sn层而成的回焊镀Sn构件。
背景技术
在连接器、端子、继电器等导电部件中使用对铜合金进行了镀敷的镀敷构件,其中,汽车用连接器中,多使用对铜合金进行镀Sn而得的镀Sn材料。车载连接器存在因车载电气安装件的增加所导致的多极化的倾向,且在连接器嵌合时插拔力增大。通常,由于连接器的嵌合是靠人力进行的,因而存在操作载荷增加的问题。
另一方面,镀Sn材料还要求不产生晶须且在高温环境下焊料湿润性或接触电阻不易劣化。尤其有报告指出伴随连接器厂商的制造工厂的海外转移,镀敷后的构件被长期保存在海外的高温多湿地域,或者在焊接时在安装炉内部被加热,从而导致焊料湿润性、接触电阻劣化的情况。进而,镀Sn材料暴露在汽车的发动机室等高温下,因而存在铜从铜基材扩散至镀Sn层、或镀Sn层被氧化造成接触电阻劣化的情形。
因此,公开了将镀Sn层的(321)面的取向指数(orientation index)控制在2.5以上4.0以下,抑制了镀Sn层晶须产生的镀Sn材料(参照专利文献1)。还公开了在镀Sn层与铜基材之间设置Ni层,以使即便镀Sn材料暴露于高温下铜也不会从铜基材扩散的回焊镀Sn材料(参照专利文献2)。进而,公开了将溶解镀Sn层时出现的Cu-Sn合金相的平均粗糙度控制于0.05~0.3μm,使插拔性及耐热性提高的回焊镀Sn材料(参照专利文献3)。还公开了将未进行回焊的镀Sn层的(101)面的取向指数控制于2.0以下,使冲压性及耐晶须性提高的镀Sn材料(参照专利文献4)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2008-274316号公报
专利文献2:日本特开2003-293187号公报
专利文献3:日本特开2007-63624号公报
专利文献4:日本专利3986265号公报。
发明内容
本发明要解决的技术问题
然而,就抑制晶须产生的方面而言,优选对基材表面的镀Sn层进行回焊,就该方面而言,为专利文献4记载的技术时,在苛刻环境下很难说耐晶须性是优异的。
另外,作为降低连接器嵌合时的插拔力的方法,存在将镀Sn厚度减薄的方法,但若将镀Sn厚度减薄,则加热后的焊料湿润性会劣化,因而,由镀Sn厚度的减少所造成的插拔力降低有限,从而需要利用新的方法来降低插拔力。
本发明是为了解决上述课题而完成的发明,其目的在于提供一种抑制晶须产生、同时降低插拔力的回焊镀Sn构件。
用于解决技术问题的方法
本发明人等进行了各种研究,结果通过控制形成于基材表面的回焊Sn层表面的取向,成功地降低了插拔力。
即,本发明的回焊镀Sn构件,在由Cu或Cu基合金构成的基材表面形成有回焊Sn层,该回焊Sn层表面的(101)面的取向指数为2.0以上且5.0以下。
所述回焊Sn层优选为在所述基材表面形成镀Cu层,并对形成于该镀Cu层表面的镀Sn层进行回焊而形成。
更优选在所述回焊Sn层与所述基材之间形成有Ni层。
发明效果
根据本发明,可获得抑制晶须产生、同时降低插拔力的回焊镀Sn构件。
具体实施方式
以下,对本发明的实施方式进行说明。予以说明,本发明中,只要无特别限定,则%表示质量%。
对于本发明的实施方式所涉及的回焊镀Sn构件,回焊Sn层形成在由Cu或Cu基合金构成的基材表面,且该回焊Sn层表面的(101)面的取向指数为2.0以上且5.0以下。
作为Cu或Cu基合金,可例示以下类型。
(1)Cu-Ni-Si系合金
作为Cu-Ni-Si系合金,可列举C70250(CDA编号,以下同样:Cu-3%Ni-0.5%Si-0.1Mg)、C64745(Cu-l.6%Ni-0.4%Si-0.5%Sn-0.4%Zn)。
(2)黄铜
作为黄铜,可列举C26000(Cu-30%Zn)、C26800(Cu-35%Zn)。
(3)红铜
作为红铜,可列举C21000、C22000、C23000。
(4)钛铜
作为钛铜,可列举C19900(Cu-3%Ti)。
(5)磷青铜
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