[发明专利]双极性晶体管中的增益恢复

权利要求书

1.一种恢复双极性晶体管中的增益的方法，包括：

提供双极性晶体管，所述双极性晶体管包括发射极、集电极和在所述发射极和所述集电极处的结之间布置的基极；

对于操作时间段用操作电压来反向偏压所述发射极和基极之间布置的结，使得所述晶体管的电流增益β劣化；

使所述晶体管空闲；以及

对于修复时间段（T_R），在用第一修复电压（V_BER）正向偏压所述发射极和所述基极之间布置的结时，且在至少部分地同时用第二修复电压（V_CBR）反向偏压所述集电极和所述基极之间布置的结时，向所述基极中生成修复电流I_br，使得至少部分地恢复所述增益；

其中，V_BER、V_CBR和T_R具有比例关系：

T_R∝(Δβ)²×exp[1/(Tam+Rth×Ie×V_CER)],V_CER=V_BER+V_CBR，且Ie=β×I_br，

β是所述晶体管的正常电流增益，Δβ是以百分比为单位的晶体管的目标恢复增益，Tam是以度K为单位的周围温度，I_br是以μ安培为单位的到所述基极的修复电流，Rth是以K/W为单位的所述晶体管的自加热热电阻，T_R是以秒为单位的。

2.根据权利要求1的方法，其中，V_BER处于大约0.8伏特到大约1.2伏特的范围内。

3.根据权利要求1的方法，其中，V_CBR处于大约0.5伏特到大约2.0伏特的范围内。

4.根据权利要求1的方法，其中，T_R处于大约1秒到大约100秒的范围内。

5.根据权利要求1的方法，其中，所述晶体管是npn晶体管。

6.根据权利要求1的方法，其中，所述晶体管是pnp晶体管。

7.根据权利要求1的方法，其中，Ibr处于大约10μA到大约150μA的范围内。

8.根据权利要求1的方法，其中，Ibr处于大约100μA到大约300μA的范围内。

9.根据权利要求1的方法，其中Rth是6000K/瓦特。

10.根据前述任一权利要求的方法，其中，使所述晶体管空闲发生在劣化到达阈值时。

11.根据权利要求10的方法，其中，所述空闲步骤包括监视I_br的值。

12.一种双极性晶体管恢复布置，包括：

双极性晶体管，所述双极性晶体管包括发射极、集电极和在所述发射极和所述集电极处的结之间布置的基极，所述晶体管具有劣化的电流增益(β)；

连接到所述集电极的集电极负载电路、连接到所述发射极的发射极电路和连接到所述基极且与所述集电极负载电路并联连接的基极偏压电路；以及

连接到所述基极且与基极偏压电路并联连接的增益恢复电路，所述增益恢复电路包括与电流镜并联连接的电流源，用于在修复时间段（T_R）期间向所述基极生成修复电流（I_br）；

其中，V_BER、V_CBR和T_R具有比例关系：

T_R∝(Δβ)²×exp[1/(Tam+Rth×Ie×V_CER)],V_CER=V_BER+V_CBR，且Ie=β×I_br，β是所述晶体管的正常电流增益，Δβ是以百分比为单位的晶体管的目标恢复增益，Tam是以K为单位的周围温度，I_br是以μ安培为单位的到所述基极的修复电流，Rth是以K/W为单位的所述晶体管的自加热热电阻，T_R是以秒为单位的，V_BER是跨越发射极-基极结的修复电压（正向偏压），且V_CBR是跨越集电极-基极结的修复电压（反向偏压）。