[发明专利]使用化学机械抛光边缘斜切半导体晶片的方法和设备

权利要求书

1.一种加工给体半导体晶片的方法，其包括以下步骤：

旋转所述给体半导体晶片；

旋转抛光垫，向所述抛光垫施加抛光浆料，并将所述给体半导体晶片和所述抛光垫压在一起，以使所述给体半导体晶片的表面和边缘部分靠在所述抛光垫上；以及

对一种或多种抛光条件参数进行选择，从而对所述给体半导体晶片的边缘部分进行斜切。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述一种或多种参数选自下组：抛光垫类型、抛光浆料类型、抛光持续时间以及所述给体半导体晶片和抛光垫之间的压力。

3.一种加工给体半导体晶片的方法，其包括以下步骤：

对所述给体半导体晶片进行挠曲以使其呈现凹形构造，所述给体半导体晶片的边缘部分与其中心表面区域相比更突显；

将所述给体半导体晶片相对于抛光表面进行旋转并施加压力，以使所述给体半导体晶片的突显的边缘部分靠在所述抛光表面上；以及

对所述给体半导体晶片的挠曲、旋转和压力进行控制，从而对所述给体半导体晶片的边缘部分进行斜切。

4.如权利要求3所述的方法，所述方法还包括在抛光过程中改变所述给体半导体晶片的挠曲程度，从而影响所述边缘斜切。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述挠曲步骤通过向所述给体半导体晶片的与其中心表面区域相反并且与所述抛光垫相反的表面上施加真空来进行。

6.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述抛光表面包括抛光垫和抛光浆料。

7.如权利要求6所述的方法，所述方法还包括对所述抛光条件的一个或多个参数进行选择，从而影响所述边缘斜切。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述一种或多种参数选自下组：抛光垫类型、抛光浆料类型、抛光持续时间以及所述给体半导体晶片和抛光垫之间的压力。