[发明专利]碳化硅单晶的制造方法

权利要求书

1.一种碳化硅单晶的制造方法，具有通过向配置在台座上的碳化硅晶种供给碳化硅原料的升华气体，在所述碳化硅晶种上生长碳化硅单晶的工序，其中，

在所述台座和所述碳化硅晶种之间配置由碳化硅构成的隔离构件，

将该隔离构件以非粘结的方式利用支持构件保持在所述台座上，

在所述隔离构件的与所述台座相反的一侧的面上粘结所述碳化硅晶种，

以所述隔离构件和所述碳化硅晶种的粘结面与所述支持构件的最下位置在垂直方向上间隔5mm以上的方式，相对地配置所述隔离构件和所述支持构件。

2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶的制造方法，所述隔离构件的所述粘结面，与所述碳化硅晶种的翘曲形状一致地进行了曲率加工。

3.根据权利要求1所述的碳化硅单晶的制造方法，所述隔离构件和所述碳化硅晶种的翘曲的大小之差为±5μm以下。

4.根据权利要求1所述的碳化硅单晶的制造方法，所述隔离构件由多晶、单晶或者烧结体的任一种形成。

5.根据权利要求1所述的碳化硅单晶的制造方法，所述隔离构件由多个层构成。

6.根据权利要求5所述的碳化硅单晶的制造方法，在所述多个层之间具备有缓冲层。

7.根据权利要求1所述的碳化硅单晶的制造方法，

所述隔离构件在其外周具备支持接受部，

所述支持构件在其下部具备钩部，

所述隔离构件的所述支持接受部被所述支持构件的钩部支持。

8.根据权利要求1所述的碳化硅单晶的制造方法，

在所述支持构件的内周形成有内螺纹，

在所述台座的外周形成有与所述内螺纹螺合的外螺纹，

通过将所述支持构件和/或所述台座相对转动，能够调整所述台座和所述隔离构件的间隔。

9.根据权利要求1所述的碳化硅单晶的制造方法，所述支持构件由石墨构成。

10.根据权利要求1所述的碳化硅单晶的制造方法，在所述台座和所述隔离构件之间具备有缓冲构件。

11.根据权利要求10所述的碳化硅单晶的制造方法，所述缓冲构件由格拉夫石墨、碳毡或者高熔点金属构成。