[发明专利]单晶制造装置有效
| 申请号： | 201080053719.1 | 申请日： | 2010-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102630256A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 岛田聪郎 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/14 | 分类号： | C30B15/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 宋晓宝;郭晓东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种单晶制造装置，是利用切克劳斯基法来制造单晶锭的单晶制造装置，具备：坩埚，其容置原料熔液；加热器，其具有围绕该坩埚的圆筒形发热部；主室，其容置该加热器；加热电极，其支持所述加热器，并供给电流；及绝热板，其被配置于所述加热器的圆筒形发热部的下方；其中，所述单晶制造装置的特征在于：
所述绝热板，经由绝缘性固定构件，被固定并支持于所述加热电极，并在所述绝热板的顶面与所述圆筒形发热部的下端相对应的位置处，配置有绝缘性支持构件。
2.如权利要求1所述的单晶制造装置，其中，所述加热电极在两处支持所述加热器，所述绝热板的顶面的配置有所述绝缘性支持构件的位置，与所述圆筒形发热部下端的所述加热电极支持所述加热器的位置旋转90度后的位置相对应。
3.如权利要求1或权利要求2所述的单晶制造装置，其中，所述绝缘性支持构件的上端与所述加热器的圆筒形发热部的下端之间的距离为0～5mm。
4.如权利要求1至权利要求3中的任一项所述的单晶制造装置，其中，所述加热器的圆筒形发热部的内径为850mm以上。
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