[发明专利]半导体装置和及其制造方法有效
| 申请号： | 201080053374.X | 申请日： | 2010-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN102640292A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;细羽幸;平石铃之介 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H01L51/50 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，包括：
处于基板之上的绝缘基膜；
处于所述绝缘基膜之上的栅极电极；
处于所述绝缘基膜和所述栅极电极之上、并与它们接触的第一绝缘层；
处于所述第一绝缘层之上的氧化物半导体层；
处于所述氧化物半导体层之上、并与其电接触的源极电极和漏极电极；以及
处于所述氧化物半导体层、所述源极电极以及所述漏极电极之上、并与它们接触的第二绝缘层，
其中所述栅极电极、所述源极电极以及所述漏极电极中的至少一个包括铜。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中所述绝缘基膜包括氮化硅。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中所述第一绝缘层包括氮化硅。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中所述氧化物半导体层包括铟、镓以及锌。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中所述栅极电极包括第一栅极电极层和第二栅极电极层，
其中所述第一栅极电极层包括铜，并且
其中所述第二栅极电极层包括从Cr、Ta、Ti、Mo以及W中选择的金属。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中所述栅极电极包括第一栅极电极层和第二栅极电极层，
其中所述第一栅极电极层包括铜，并且
其中所述第二栅极电极层是其中包括从Si、Ti、Ta、W、Mo、Cr、Nd、Sc以及Y中选择的元素的铝层。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中所述源极电极和所述漏极电极各自包括第三层和第四层，
其中所述第三层包括铜，并且
其中所述第四层包括从Cr、Ta、Ti、Mo以及W中选择的金属。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中所述源极电极和所述漏极电极各自包括第三层和第四层，
其中所述第三层包括铜，并且
其中所述第四层是其中包括从Si、Ti、Ta、W、Mo、Cr、Nd、Sc以及Y中选择的元素的铝层。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：第一导电层，该第一导电层处于所述氧化物半导体层与所述源极电极之间，并且处于所述氧化物半导体层与所述漏极电极之间，
其中所述第一导电层包括从Ti、Mn、Mg、Zr、Y、Al、W以及Mo中选择的材料。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中所述栅极电极被所述绝缘基膜和所述第一绝缘层密封。
11.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中所述氧化物半导体层被所述第一绝缘层和所述第二绝缘层密封。
12.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：处于所述第二绝缘层之上的第二导电层，
其中所述第二导电层包括铜。
13.一种包括根据权利要求1所述的半导体装置的电子装置。
14.一种半导体装置，包括：
处于基板之上的绝缘基膜；
处于所述绝缘基膜之上的栅极电极；
处于所述绝缘基膜和所述栅极电极之上、并与它们接触的第一绝缘层；
处于所述第一绝缘层之上的氧化物半导体层；
处于所述氧化物半导体层之上、并与其电接触的源极电极和漏极电极；以及
处于所述氧化物半导体层、所述源极电极以及所述漏极电极之上、并与它们接触的第二绝缘层，
其中所述源极电极和所述漏极电极各自包括：
与所述第一绝缘层接触并包括导电金属氮化物的第一层；
形成在所述第一层之上并包括铜的第二层；以及
处于所述第二层之上的第三层，所述第三层包括所述导电金属氮化物。
15.根据权利要求14所述的半导体装置，
其中所述栅极电极包括铜。
16.根据权利要求14所述的半导体装置，
其中所述绝缘基膜包括氮化硅。
17.根据权利要求14所述的半导体装置，
其中所述第一绝缘层包括氮化硅。
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