[发明专利]显示装置

权利要求书

1.一种显示装置，其特征在于：

其在有源矩阵基板具备光传感器，

所述光传感器包括：

接收入射光的光检测元件；

对该光传感器供给复位信号的复位信号配线；

对该光传感器供给读出信号的读出信号配线；和

传感器开关元件，其在从被供给所述复位信号起至被供给所述读出信号为止的期间，根据所述读出信号读出从所述光检测元件输出的光电流，

所述显示装置还包括：

在所述光检测元件的背面设置的遮光膜；和

将所述遮光膜的电位在高电平电位和低电平电位之间进行切换控制的驱动电路，

所述驱动电路，在与对所述复位信号配线供给所述复位信号的期间的至少一部分重叠的期间，使所述遮光膜的电位为所述高电平电位。

2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：

所述光检测元件是PIN结构的二极管。

3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于：

当设所述遮光膜的高电平电位为V_{LS_H}、设所述复位信号的高电平电位为V_{RST_H}、且设在假设以所述光电二极管的p层为源极和漏极区域并且以所述遮光膜为栅极电极的p沟道MOS晶体管的情况下的阈值电压为V_{th_p}时，

V_{LS_H}≥V_{RST_H}+V_{th_p}成立。

4.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于：

当设所述遮光膜的低电平电位为V_{LS_L}、设所述复位信号的低电平电位为V_{RST_L}、设所述光电二极管的n层的电位为V_C、设在假设以所述p层为源极和漏极区域并且以所述遮光膜为栅极电极的p沟道MOS晶体管的情况下的阈值电压为V_{th_p}、且设在假设以所述光电二极管的n层为源极和漏极区域并且以所述遮光膜为栅极电极的n沟道MOS晶体管的情况下的阈值电压为V_{th_n}时，

V_{RST_L}+V_{th_p}≤V_{LS_L}≤V_c+V_{th_n}成立。

5.如权利要求1～4中任一项所述的显示装置，其特征在于：

所述驱动电路，在与对所述复位信号配线供给所述复位信号的期间的整体重叠的期间，使所述遮光膜的电位为所述高电平电位。