[发明专利]二氟化氙蚀刻工艺中的改进的选择性

权利要求书

1.一种在处理室中蚀刻硅(Si)以产生一个或多个微结构的方法，所述方法包括以下步骤：

(a)从蚀刻材料源产生包括二氟化氙(XeF₂)的蚀刻材料蒸汽；

(b)将所述蚀刻材料蒸汽输送到所述处理室；以及

(c)将包括氢气的第二气体引入所述处理室。

2.根据权利要求1所述的方法，其中将所述蚀刻材料蒸汽输送到所述处理室的所述步骤包括将载气供应到所述蚀刻材料源，所述载气之后将所述蚀刻材料蒸汽运送到所述处理室。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中将所述蚀刻材料蒸汽输送到所述处理室的所述步骤包括利用一个或多个膨胀室以从所述蚀刻材料源收集所述蚀刻材料蒸汽。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，包括通过控制从所述处理室向外的真空泵送速率来控制在所述处理室内的所述蚀刻材料蒸汽的量的额外步骤。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，包括循环所述蚀刻材料蒸汽的额外步骤。

6.根据任一前述权利要求所述的方法，包括提供覆盖所述硅的掩模以便允许所述硅的选择性蚀刻的额外步骤。

7.一种用于蚀刻硅(Si)以产生一个或多个微结构的气相蚀刻装置，所述装置包括：

处理室，其用于容纳待被蚀刻的硅；

二氟化氙蒸汽源；

第一气体管线，其将所述二氟化氙蒸汽源连接到所述处理室；

氢气源；以及

第二气体管线，其将所述氢气源连接到所述处理室。

8.根据权利要求7所述的装置，还包括载气源以将二氟化氙蒸汽从所述二氟化氙蒸汽源运送到所述处理室。

9.根据权利要求7或权利要求8所述的装置，还包括一个或多个膨胀室以从所述蚀刻材料源收集蚀刻材料蒸汽。

10.根据权利要求7到9中任一项所述的装置，其中所述第二气体管线被连接到所述二氟化氙蒸汽源，所述氢气源被用来将二氟化氙蒸汽运送到所述处理室。

11.根据权利要求7到10中任一项所述的装置，还包括连接到所述处理室的真空泵，所述处理室内的蚀刻材料蒸汽和/或氢气的量通过控制所述真空泵的泵送速率来控制。

12.根据权利要求7到11中任一项所述的装置，还包括一个或多个流量控制器，所述一个或多个流量控制器连接到所述第一气体管线和/或所述第二气体管线以控制所述处理室内的蚀刻材料蒸汽和/或氢气的量。

13.根据权利要求7到10中任一项所述的装置，其中所述装置被配置成以便循环所述蚀刻材料蒸汽和/或氢气。