[发明专利]基于半极化纤锌矿型第III族氮化物的半导体层和基于前者的半导体元件

权利要求书

1.基于半极化纤锌矿型第III族氮化物的半导体层，

其特征在于

在具有闪锌矿或金刚石结构且具有与(111)面的取向差大于9°的面的平面衬底上生长。

2.根据权利要求1的基于半极化纤锌矿型第III族氮化物的半导体层，

其特征在于

在(211)取向的面上的生长。

3.根据权利要求1的基于半极化纤锌矿型第III族氮化物的半导体层，

其特征在于

在(311)取向的面上的生长。

4.根据权利要求1的基于半极化纤锌矿型第III族氮化物的半导体层，

其特征在于

在(322)取向的面上的生长。

5.根据前述权利要求中至少一项的基于半极化纤锌矿型第III族氮化物的半导体层，

其特征在于

在第IV族半导体表面上的生长。

6.根据前述权利要求中至少一项的基于半极化纤锌矿型第III族氮化物的半导体层，

其特征在于

在气相方法中成核层在低于900°C的一个或多个温度下生长，以及在分子束方法和溅射方法中成核层在低于700°C的一个或多个温度下生长。

7.根据前述权利要求中至少一项的基于半极化纤锌矿型第III族氮化物的半导体层，

其特征在于

含Al的成核层的生长。

8.根据前述权利要求中至少一项的基于半极化纤锌矿型第III族氮化物的半导体层，

其特征在于

通过物理或化学方法形成的具有(111)面的宽阶梯，其中所产生的(111)台阶具有三重面对称。

9.根据前述权利要求中至少一项的基于半极化纤锌矿型第III族氮化物的半导体层，

其特征在于

具有(111)面的宽阶梯的形成，其中所产生的(111)台阶具有的宽度为至少两个单层。

10.根据前述权利要求中至少一项的基于半极化纤锌矿型第III族氮化物的半导体层，

其特征在于，

在具有闪锌矿结构的III-V衬底的与(111)面的取向差大于9°的面上的生长，以及在第III族氮化物生长开始之前通过引导氨、释氮化合物或氮自由基经过对所述衬底的面的至少一个单层的氮化。

11.半导体元件，

其特征在于，

所述半导体元件基于根据权利要求1至10中一项或多项的半导体层。