[发明专利]导电膜及其制造方法、以及触摸屏无效

专利信息
申请号: 201080052570.5 申请日: 2010-12-24
公开(公告)号: CN102667969A 公开(公告)日: 2012-09-12
发明(设计)人: 宫城岛规;直井宪次 申请(专利权)人: 富士胶片株式会社
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;B22F1/00;G06F3/041;H01B5/14;B22F9/24
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈建全
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 导电 及其 制造 方法 以及 触摸屏
【说明书】:

技术领域

本发明涉及在不会引起膜剥离的情况下大幅提高透明性及导电性的导电膜及该导电膜的制造方法、以及触摸屏(也称为触摸面板)。

背景技术

一直以来,关于涂布含有导电性微粒的分散液而成的导电膜,有多种提案。但是,这些提案具有如下问题:可能是因为微粒分散所需要的分散剂存在在微粒间界面处,因此不进行高温处理时,难以得到均匀并且充分的导电性。

因此,从减少微粒间界面的观点出发,提出了如下方法:将使用多元醇法制备的银纳米线分散液经过离心分离工序进行溶剂置换,从而制造银纳米线分散液(参照专利文献1以及2)。这些提案是制备银纳米线分散液,涂布该银纳米线分散液,并使其干燥,由此形成导电膜,随着微粒间界面的减少,可以减少用于得到导电性的金属量,从而也能够形成透明导电膜。

但是,这些提案存在如下课题:可能是因为在分散液中存在银纳米线以外的金属微粒等,因此难以得到充分的透明性,另外,可能是因为在涂膜中残存分散剂,因此无法得到充分的导电性。

因此,目前期望快速提供不会引起膜剥离且同时具有能够充分令人满意的导电性以及透明性的导电膜以及该导电膜的制造方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:美国专利申请公开第2005/0056118号说明书

专利文献2:美国专利申请公开第2007/0074316号说明书

发明内容

发明所要解决的课题

本发明的目的在于,提供在不会引起膜剥离的情况下大幅提高透明性及导电性的导电膜以及该导电膜的制造方法、以及触摸屏。

用于解决课题的手段

为了解决上述课题,本发明者们反复进行了深入的研究,结果发现,通过将含有金属纳米线以及分散剂的含金属纳米线的膜浸渍在浸渍液中,可以除去含金属纳米线的膜中的分散剂和剩余的粒子等,得到在不会引起膜剥离的情况下提高透明性及导电性的导电膜。

本发明是基于本发明者们的上述见解而完成的,作为用于解决上述课题的手段,如下所示。即,

<1>一种导电膜的制造方法,其特征在于,包括:

含金属纳米线的膜的制作工序,该工序制作含有金属纳米线以及分散剂的含金属纳米线的膜;和

浸渍工序,该工序将上述含金属纳米线的膜浸渍在浸渍液中。

<2>上述<1>所述的导电膜的制造方法,其中,浸渍液是能够将含金属纳米线的膜中的分散剂溶解的溶剂。

<3>上述<1>或<2>所述的导电膜的制造方法,其中,浸渍液为选自乙醇、乙二醇、甲醇以及水中的至少一种。

<4>上述<1>至<3>中任一项所述的导电膜的制造方法,其中,分散剂为离子性表面活性剂。

<5>上述<4>所述的导电膜的制造方法,其中,离子性表面活性剂为烷基季铵盐。

<6>上述<1>至<5>中任一项所述的导电膜的制造方法,其中,金属纳米线含有银。

<7>上述<1>至<6>中任一项所述的导电膜的制造方法,其中,金属纳米线的平均短轴长度为50nm以下,并且平均长轴长度为5μm以上,在全部金属粒子中包含以金属量计为50质量%以上的短轴长度为50nm以下并且长轴长度为5μm以上的金属纳米线。

<8>上述<1>至<7>中任一项所述的导电膜的制造方法,其中,金属纳米线的短轴长度的变异系数为40%以下。

<9>上述<1>至<8>中任一项所述的导电膜的制造方法,其中,金属纳米线的截面形状是角变圆的形状。

<10>上述<1>至<9>中任一项所述的导电膜的制造方法,其中,金属纳米线的截面形状的尖锐度为75%以下。

<11>上述<1>至<10>中任一项所述的导电膜的制造方法,其中,含金属纳米线的膜的制作是通过将含有金属纳米线以及分散剂的金属纳米线分散液涂布在基材上并使其干燥来进行的。

<12>一种导电膜,其特征在于,其是通过上述<1>至<11>中任一项所述的导电膜的制造方法来制造的。

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