[发明专利]含有纳米级锌添加剂的厚膜导电组合物

权利要求书

1.厚膜糊状组合物，基于固体计，包含：

e)按重量计80％至99％的导电银粉；

f)按重量计0.1％至10％的一种或多种玻璃料；

g)按重量计0.1％至10％的纳米级球形锌添加剂，所述纳米级球形锌添加剂具有介于4m²/gr至6m²/gr之间的比表面积，其中所述锌添加剂选自金属锌、锌合金、以及金属锌与氧化锌的混合物；它们分散在

h)有机介质中。

2.权利要求1的组合物，其中所述玻璃料包含Bi₂O₃或B₂O₃。

3.权利要求1的组合物，其中所述玻璃料包含一种或多种组分，所述组分选自：SiO₂、P₂O₅、GeO₂和V₂O₅。

4.制品，包括：

(a)一个或多个基底；

(b)在所述一个或多个基底上的厚膜组合物的沉积物，所述组合物包含：

i)基于固体的重量计80％至99％的导电银粉；

ii)基于固体的重量计0.1％至10％的一种或多种玻璃料；

iii)按重量计0.1％至10％的纳米级球形锌添加剂，所述纳米级球形锌添加剂具有介于4m²/gr至6m²/gr之间的比表面积，其中所述锌添加剂选自金属锌、锌合金、以及金属锌与氧化锌的混合物。

5.权利要求4的制品，其中所述锌合金为铜锌合金。

6.权利要求4的制品，其中所述制品为半导体装置。

7.权利要求6的制品，其中所述半导体装置为太阳能电池。

8.权利要求4的制品，其中所述玻璃料包含Bi₂O₃或B₂O₃。

9.权利要求4的制品，其中所述玻璃料包含一种或多种组分，所述组分选自：SiO₂、P₂O₅、GeO₂和V₂O₅。

10.制造半导体装置的方法，包括以下步骤：

(a)提供一个或多个半导体基底；

(b)将绝缘膜施加在所述半导体基底上；

(c)将厚膜糊状组合物沉积在所述绝缘膜上，其中所述厚膜组合物包含：

i)基于固体的重量计80％至99％的导电银粉；

ii)基于固体的重量计0.1％至10％的一种或多种玻璃料；

iii)按重量计0.1％至10％的纳米级球形锌添加剂，所述纳米级球形锌添加剂具有介于4m²/gr至6m²/gr之间的比表面积，

其中所述锌添加剂选自金属锌、锌合金、以及金属锌与氧化锌的混合物；以及

(d)焙烧所述半导体基底、绝缘膜和厚膜糊状组合物，

其中在焙烧时，所述有机介质被移除，并且所述银和玻璃料被烧结。