[发明专利]用于回蚀半导体层的方法和装置

权利要求书

1.一种至少部分回蚀基片(3)的半导体层(1)的方法，其中，所述基片(3)至少部分设置在蚀刻液(5)之外，

其特征在于，所述半导体层(3)的位于所述蚀刻液(5)之外的部分是借助源于所述蚀刻液(5)的反应性蒸气(11)被至少部分蚀除的。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，被回蚀的是掺杂半导体层(1)。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，被回蚀的是掺杂硅层(1)，其中，优选采用硅晶片(3)作为基片(3)，并且所述掺杂硅层(1)是通过在硅晶片(3)中加入掺杂材料而形成的。

4.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，如此设置该基片(3)，即，该半导体层(1)的一部分位于该蚀刻液(5)内，并且该半导体层(1)的所述部分是借助该蚀刻液(5)被完全蚀除的。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，位于所述蚀刻液(5)之外的半导体层(1)部分借助所述反应性蒸气(11)仅被蚀除至该半导体层(1)的一个剩余残余厚度。

6.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，被回蚀的是太阳能电池基片(11)的发射极(15)。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，如此设置该太阳能电池基片(3)，即，该太阳能电池基片(3)的后来的发射极侧面(9)位于该蚀刻液(5)之外，并且该太阳能电池基片(3)的与该发射极侧面(9)对置的侧面位于该蚀刻液(5)之内。

8.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，在该半导体层(1)被回蚀之前，以湿化学方法，除去存在于待回蚀的半导体层(1)上的硅酸盐玻璃层(4)。

9.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，该反应性蒸气(11)被部分抽吸走，以调节用于该半导体层(1)的回蚀的回蚀速率。

10.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，将惰性气体(38)和/或至少一种反应性气体供给待回蚀的半导体层(1)的位于该蚀刻液(5)之外的部分，以调节该反应性蒸气(11)的回蚀速率，其中，优选使用来自下组的至少一种物质作为至少一种反应性气体，该组包括气态臭氧和气态氟化氢。

11.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，在回蚀过程中利用电磁射线(42；48)最好利用紫外线(42)来照射待回蚀的半导体层(1)的位于该蚀刻液(5)之外的部分，以调节该半导体层(1)回蚀的回蚀速率。

12.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，在该半导体层(1)的至少一部分在根据前述权利要求之一所述的主蚀刻步骤中被蚀除之前或之后，该基片(3)在一个附加蚀刻步骤中至少部分、最好完全地被置于辅助蚀刻介质(52)中，借助该辅助蚀刻介质来部分地回蚀该半导体层(1)。

13.根据权利要求12和8所述的方法，其特征在于，在实施所述主蚀刻步骤前，在该附加蚀刻步骤中利用该辅助蚀刻介质(52)除去该硅酸盐玻璃层(4)。

14.根据权利要求12至13之一所述的方法，其特征在于，作为辅助蚀刻介质(52)，采用含有氢氟酸的辅助蚀刻液(52)，并且臭氧被通入该辅助蚀刻液(52)中。

15.一种用于实施根据权利要求1至14之一所述的方法的装置，

-所述装置具有用于蚀刻液(5)的容器(30)，

-其中，基片(3)能够相对于该蚀刻液(5)如此布置，即，该基片至少部分位于设在该容器(30)内的该蚀刻液(5)之外，

-还具有用于抽吸走源于该蚀刻液(5)的反应性蒸气(11)的抽吸机构(32a，32b；33a，33b)，

其特征在于，借助该抽吸机构(32a，32b；33a，33b)能够如此吸走该反应性蒸气(11)，使得该基片(3)的半导体层(1)的位于该蚀刻液(5)之外的部分能够借助于所述反应性蒸气(11)被均匀地回蚀。

16.根据权利要求15所述的装置，其特征在于，具有至少一个供气装置(40)，借助于所述供气装置能够给位于该蚀刻液(5)之外的半导体层部分供应气体(38)。