[发明专利]沉积膜形成装置无效
申请号: | 201080051961.5 | 申请日: | 2010-11-22 |
公开(公告)号: | CN102668032A | 公开(公告)日: | 2012-09-12 |
发明(设计)人: | 伊藤宪和;新乐浩一郎;稻叶真一郎 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C23C16/455;H01L31/04 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 聂宁乐;向勇 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 沉积 形成 装置 | ||
1.一种沉积膜形成装置,
具有:
腔室,
第一电极,其位于该腔室内,
第二电极,其位于所述腔室内,且与所述第一电极隔开规定间隔;
该沉积膜形成装置的特征在于,
所述第二电极具有:
电极基体,
多个电极板,它们配置在该电极基体上;
该电极板具有:
第一供给部,其将第一原料气体供给至所述第一电极和所述第二电极之间的空间,
第二供给部,其将第二原料气体供给至所述空间,
第一供给路径,其与所述第一供给部相连接,用于导入所述第一原料气体,
第二供给路径,其与所述第二供给部相连接,用于导入所述第二原料气体;
所述电极基体具有:
加热单元,其对所述第一原料气体进行加热,
第一导入路径,其将所述第一原料气体导入至所述第一供给路径,
第二导入路径,其将所述第二原料气体导入至所述第二供给路径;
所述第二供给路径具有:
干流部,其从所述第二导入路径导入所述第二原料气体,且在该干流部上未设有所述第二供给部,
多个支流部,它们从该干流部导入所述第二原料气体,且在这些支流部上设有所述第二供给部;
所述第二导入路径和所述干流部的连接部,位于相邻的所述电极板的相邻部位。
2.根据权利要求1记载的沉积膜形成装置,其特征在于,
所述第二导入路径和所述干流部的连接部,位于多个所述电极板中的每个所述电极板上。
3.根据权利要求1或2记载的沉积膜形成装置,其特征在于,
对多个所述电极板中的每个所述电极板,设有所述第一导入路径。
4.根据权利要求3记载的沉积膜形成装置,其特征在于,
所述电极基体具有冷却机构,该冷却机构用于对该电极基体或所述电极板进行冷却。
5.根据权利要求1至4中的任一项记载的沉积膜形成装置,其特征在于,
所述电极基体具有多个所述加热单元。
6.根据权利要求1至5中的任一项记载的沉积膜形成装置,其特征在于,
所述加热单元的个数,与所述电极板的个数相同。
7.根据权利要求1至6中的任一项记载的沉积膜形成装置,其特征在于,
所述电极基体具有加强筋,在该加强筋上固定有多个所述电极板。
8.根据权利要求7记载的沉积膜形成装置,其特征在于,
在所述加强筋的内部具有所述第二导入路径。
9.根据权利要求1至9中的任一项记载的沉积膜形成装置,其特征在于,
所述加热单元具有使电流流动的金属线,以在俯视透视所述电极板时该电极板上的所述金属线所占的面积在所述电极板的中央部变小的方式,在所述电极基体上配置所述金属线。
10.根据权利要求1至9中的任一项记载的沉积膜形成装置,其特征在于,
在所述第一供给部中,在所述第一供给部的出口侧,随着靠近出口而渐渐扩大所述第一供给部的流路剖面面积,从而产生空心阴极放电。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造