[发明专利]薄膜太阳能电池及其制造方法有效
| 申请号: | 201080051932.9 | 申请日: | 2010-04-08 |
| 公开(公告)号: | CN102612755A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
| 发明(设计)人: | 仲村惠右;时冈秀忠;古畑武夫 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 金春实 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种薄膜太阳能电池,在基板之上具有利用透明导电性材料形成的第一电极层、光电转换层以及反射光的包含导电性材料的第二电极层,具有多个通过槽被分割为多个的单位单元,在形成于所述光电转换层的槽内,所述第二电极层与相邻的单位单元的第一电极层相连接,从而多个所述单位单元电串联连接,该薄膜太阳能电池的特征在于,
至少一个所述单位单元的两侧的所述槽形成为夹在所述槽间的所述单位单元在规定方向上具有固定的宽度来蛇行,并且所述槽具有在沿所述规定方向平行移动的情况下重合的同一形状。
2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,
所述槽具有如下构造:将由相对于所述规定方向以角度θ交叉的第一线段构成的槽以及由相对于所述规定方向以角度-θ交叉的第二线段构成的槽以具有至少一个弯曲部的方式相连接。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,
所述槽的弯曲部由曲线构成。
4.根据权利要求1或2所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,
所述槽由周期性的波状曲线构成。
5.根据权利要求1~4中的任一项所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,
所述基板具有矩形形状,所述规定方向与所述基板的第一边平行,
多个所述槽沿所述第一边的延伸方向周期性地被设置,并且在所述基板的与所述第一边交叉的第二边的延伸方向上的弯曲部的位置或峰与谷的位置大致一致地配置。
6.根据权利要求1~5中的任一项所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,
所述角度θ的绝对值是小于72.5°的角度。
7.根据权利要求1~6中的任一项所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,
在所述基板与所述第一电极层的层间的所述槽的弯曲部的附近还具备细线状的集电电极。
8.根据权利要求1~7中的任一项所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,
从所述基板的所述规定方向的中央部越接近端部,所述槽的弯曲程度越小。
9.根据权利要求8所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,
所述基板具有矩形形状,所述规定方向与所述基板的第一边平行,
形成在所述基板的所述第一边的延伸方向的端部的槽是大致平行于所述基板的与所述第一边交叉的第二边的延伸方向的直线。
10.根据权利要求1~9中的任一项所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,
所述基板的所述规定方向的两端部的所述第一电极层、所述光电转换层以及所述第二电极层的层叠构造是将由串联连接的所述单位单元发电的电流取出至外部的电流取出部,
所述薄膜太阳能电池还具备:
布线,设置在所述电流取出部之上;以及
连接部,将所述布线与所述电流取出部进行电连接。
11.根据权利要求10所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,
所述电流取出部具有如下构造:通过所述基板的所述规定方向的两端部的所述单位单元的弯曲构造,沿所述槽的延伸方向分离成多个岛状,
所述连接部设置在所述各电流取出部。
12.根据权利要求1~11中的任一项所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,
所述光电转换层具有如下构造:具有带隙不同的pn结或pin结的多个半导体层沿与基板面垂直的方向层叠。
13.一种薄膜太阳能电池的制造方法,其特征在于,包括:
在基板之上形成第一电极层的工序;
将所述第一电极层用相互平行的弯曲的形状的第一分离槽针对每个单位单元进行分离的工序;
在形成有所述第一电极层的所述基板之上形成由半导体层构成的光电转换层的工序;
将所述光电转换层用与所述第一分离槽相同形状的第二分离槽在与所述第一分离槽不同的位置处针对每个所述单位单元进行分离的工序;
在所述第二分离槽内埋入导电性材料的工序;
在包含埋入所述第二分离槽中的所述导电性材料的所述光电转换层之上形成第二电极层的工序;
将所述第二电极层和所述光电转换层用与所述第一分离槽相同形状的第三分离槽在与所述第一分离槽和第二分离槽不同的位置处针对每个所述单位单元进行分离的工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





